[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，包括：

光电转换层，其包括两个电极层和两个或更多个在所述两个电极层之间设置的层叠的半导体层，以及

由金属制成的多孔膜，其被设置在相邻的两个所述半导体层之间；其中

所述多孔膜具有多个贯穿所述膜的开口，

每个所述开口占据平均为80nm²以上至0.8μm²以下的面积，且

所述多孔膜具有2nm以上至200nm以下的厚度。

2.根据权利要求1的光电转换元件，其中每个所述开口具有平均为10nm以上至1μm以下的直径。

3.根据权利要求1的光电转换元件，其中相邻的两个所述开口被宽度平均为10nm以上至1μm以下的金属区域隔开。

4.一种光电转换元件，包括：

光电转换层，其包括两个电极层和两个或更多个在所述两个电极层之间设置的层叠的半导体层，以及

具有多个由金属制成的纳米物体且被设置在相邻的两个所述半导体层之间的层；其中

每个所述纳米物体具有平均为4nm³以上至0.52μm³以下的体积，且

相邻的两个所述纳米物体之间的平均距离在1nm以上至1μm以下的范围内。

5.一种制造光电转换元件的方法，包括以下步骤：

形成第一半导体层，

在所述第一半导体层上形成厚度为2nm以上至200nm以下的金属膜，

形成具有凹凸图形的掩模，

使用所述掩模在所述金属膜上形成多个开口，每个所述开口占据平均为80nm²以上至0.8μm²以下的面积，以及

在根据所述图形设置有所述开口的所述金属膜上形成第二半导体层。

6.一种制造光电转换元件的方法，包括以下步骤：

形成第一半导体层，

在所述第一半导体层上形成金属膜，

在所述金属膜上形成具有凹凸图形的掩模，

使用所述掩模从所述金属膜形成纳米物体，每个所述纳米物体具有平均为4nm³以上至0.52μm³以下的体积，并且相邻的两个所述纳米物体以平均为1nm以上至1μm以下的距离被隔开，以及

在所述纳米物体上形成第二半导体层。

7.根据权利要求5或6的制造光电转换元件的方法，其中

所述形成掩模的步骤包括使用压模在所述金属膜上形成抗蚀剂图形的子步骤。

8.根据权利要求5或6的制造光电转换元件的方法，其中

所述形成掩模的步骤包括以下子步骤：

在所述金属膜的至少一部分上或所述第一半导体层的至少一部分上浇铸抗蚀剂，以形成抗蚀剂涂层，

在所述抗蚀剂涂层上形成精细颗粒的单层，以及

通过使用所述单层作为蚀刻掩模，形成精细凹凸图形作为抗蚀剂图形。

9.根据权利要求5或6的制造光电转换元件的方法，其中

所述形成掩模的步骤包括以下子步骤：

在所述金属膜的至少一部分上或所述第一半导体层的至少一部分上形成中间层，以及

在所述中间层上形成嵌段共聚物的微畴。