[发明专利]显示装置用薄膜半导体装置、显示装置用薄膜半导体装置的制造方法、EL显示面板及EL显示装置

权利要求书

1.一种显示装置用薄膜半导体装置，包括：

基板；

栅电极，形成于基板上；

栅极绝缘膜，覆盖所述栅电极并形成于所述基板上；

半导体层，形成在所述栅极绝缘膜上且在所述栅电极的上方；

第1电极，形成于所述半导体层的上方；

第2电极，形成于与所述第1电极同层；

第1电源布线，与所述第2电极电连接，形成于与所述第2电极同层；

层间绝缘膜，覆盖所述第1电极及所述第2电极并形成于所述栅极绝缘膜的上方；

栅极布线，形成在作为与形成有所述栅电极的层不同的层的所述层间绝缘膜上，与所述第1电源布线交叉地配置；和

第2电源布线，形成于与所述栅极布线同层，并且与所述栅极布线并行配置，

所述栅电极和所述栅极布线经由设置成贯穿所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的第1导电部而电连接，

所述第1电源布线和所述第2电源布线经由设置成贯穿所述层间绝缘膜的第2导电部而电连接。

2.根据权利要求1所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第2电源布线形成为与所述栅极布线相同或预定的近似值的高度，

所述第2电源布线是具有与相邻的2个所述栅极布线之间的宽度对应的宽度的布线。

3.根据权利要求2所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第2电源布线与所述相邻的2个栅极布线之间的距离是4μm以上。

4.根据权利要求1所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第2电源布线形成为与所述栅极布线相同或预定的近似值的高度，

所述第2电源布线接近所述栅极布线而配置以使得将相邻的2个所述栅极布线之间填埋。

5.根据权利要求1所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第2电源布线形成为与所述栅极布线相同或预定的近似值的高度，

所述第2电源布线是具有比所述第1电源布线的宽度宽的宽度的布线。

6.根据权利要求2~5中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第2电源布线具有均匀膜厚，且按照所述第2电源布线的下层的表面形状形成。

7.根据权利要求1~6中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述半导体层是n沟道型，

所述第2电源布线的至少一部分配置成与所述半导体层不重叠。

8.根据权利要求1~6中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述半导体层是p沟道型，

所述第2电源布线的至少一部分配置成与所述半导体层重叠。

9.根据权利要求1~8中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第1电极是源电极，所述第2电极是漏电极。

10.根据权利要求1~8中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述第1电极是漏电极，所述第2电极是源电极。

11.根据权利要求1~10中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

由形成有所述栅极布线的层和形成有所述第1电源布线的层所夹着的所述层间绝缘膜形成的单位面积的电容，比由形成有所述栅电极的层和形成有所述第1电源布线的层所夹着的所述栅极绝缘膜形成的单位面积的电容小。

12.根据权利要求11所述的显示装置用薄膜半导体装置，

由所述层间绝缘膜形成的电容小于1．5×10^-4F／m²，

由所述栅极绝缘膜形成的电容为1．5×10^-4F／m²以上。

13.根据权利要求1~12中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

所述半导体层含有多结晶性半导体层。

14.根据权利要求1~13中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体装置，

构成所述第2电源布线的材料包括从Al、Cu、Ag选择的任一元素。