[发明专利]用于回收废蚀刻溶液的系统和方法

权利要求书

1.一种用于回收废蚀刻溶液的系统，其包括：

用于蚀刻反应的蚀刻装置，所述蚀刻反应产生废蚀刻溶液；

氧化装置，其包括：

连接至所述蚀刻装置的第一处理段，其用于接收从所述蚀刻装置输送来的废蚀刻溶液，所述第一处理段从所述废蚀刻溶液中提取氨气；和

连接至所述第一处理段的第二处理段，其用于氧化从所述第一处理段输送来的废溶液中的铜离子；

连接至所述第二处理段的再生装置，其用于提高铜络合物[Cu(NH₃)₄]⁺⁺的浓度并调节从所述第二处理段输送来的废蚀刻溶液的PH值，将所述铜络合物浓度提高且PH值经调节的所述废蚀刻溶液传送至蚀刻装置以用作蚀刻溶液；和

电解装置，其包括：

连接至所述第一处理段的电解单元，其用于从所述第一处理段输送来的废溶液中析出铜；

连接至所述电解单元的中间槽，其接收来自所述电解单元的铜浓度降低的废溶液；

其中将从所述第一处理段提取的氨气输送至所述第二处理段，将从所述第二处理段逸出的气体输送至所述再生装置，并且将从所述再生装置逸出的气体输送回所述第一处理段；且

其中将从所述蚀刻装置、所述电解单元和所述中间槽逸出的气体输送至所述第二处理段。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述蚀刻装置包括用于喷洒所述蚀刻溶液的喷洒单元、用于储存所述废蚀刻溶液的溶液槽和用于清洁蚀刻电路板的冲洗单元。

3.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述第一处理段包括连接至所述蚀刻装置的第一处理单元、连接至所述第一处理单元的第二处理单元以及连接至所述第二处理单元的第三处理单元，使得所述废蚀刻溶液通过所述第二处理单元从所述第一处理单元流向所述第三处理单元；并且所述第二处理段包括连接至所述第三处理单元的氧化单元和连接至所述氧化单元的氧化完成单元，使得所述废蚀刻溶液通过所述氧化单元从所述第三处理单元输送至所述氧化完成单元。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二处理单元包括第一处理子单元和第二处理子单元，其中在所述第一处理子单元、所述第二处理子单元和所述第三处理单元之间形成回路。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述废蚀刻溶液在所述回路中流动三个循环，然后将所述废蚀刻溶液输送至所述氧化单元。

6.根据权利要求4或5所述的系统，其中从所述第一处理单元、所述第一处理子单元和所述第二处理子单元中提取氨气，并将提取的氨气输送至所述氧化完成单元。

7.根据权利要求6所述的系统，其中将从所述氧化单元逸出的气体输送至所述氧化完成单元。

8.根据权利要求6所述的系统，其中将从所述蚀刻装置、所述电解单元和所述中间槽逸出的气体输送至所述氧化单元。

9.根据权利要求6所述的系统，其中所述再生单元包括用于将所述废蚀刻溶液的PH值调节在8.2至8.6的范围内的第一再生单元和用于提高从所述氧化完成单元输送来的废蚀刻溶液中的铜络合物[Cu(NH₃)₄]⁺⁺的浓度的第二再生单元。

10.根据权利要求9所述的系统，其中其中将从所述第一再生单元逸出的气体输送至所述第二再生单元。

11.根据权利要求10所述的系统，其中使用注射器吸出来自所述第二再生单元的气体并重新注入所述第二再生单元中的废蚀刻溶液中。

12.根据权利要求9所述的系统，其中所述第二再生单元连接至所述第一处理单元。

13.根据权利要求4所述的系统，其中将0.6%至0.9%体积的来自所述蚀刻装置的废蚀刻溶液输送至所述电解单元。

14.根据权利要求13所述的系统，其中将所述中间槽中的废溶液输送至所述氧化单元。

15.根据权利要求9-14中任一项所述的系统，其还包括气体处理装置，所述气体处理装置从所述第三处理单元逸出的气体中提取出氨气并将提取的氨气转移至所述氧化完成单元。