[发明专利]用于低谐波三相前端的集成磁性装置有效

专利信息
申请号: 201080067302.0 申请日: 2010-06-18
公开(公告)号: CN102948055A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: A.皮特基维奇 申请(专利权)人: 沙夫纳EMV股份公司
主分类号: H02M1/12 分类号: H02M1/12;H01F3/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;王忠忠
地址: 瑞士卢*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 用于 谐波 三相 前端 集成 磁性 装置
【权利要求书】:

1.一种用于低谐波三相前端的集成磁性装置(1),包括

-三个磁性子组件(30),其中每一个磁性子组件(30)包括不带气隙的闭合磁环、两个缠绕分支和至少三个绕组(22),

-将所述三个磁性子组件(30)磁连接的至少一个第一公共磁轭(10;60,70;50)和至少一个第二公共磁轭(10’;60’,70’;50’),

-在所述三个磁性子组件(30)和所述至少一个第一公共磁轭(10;60,70;50)或者所述至少一个第二公共磁轭(10’;60’,70’;50’)之间的至少一个气隙(40;40’),

-能够连接到三相电力网(100)的三个电流输入,

-至少六个电流输出,两个电流输出用于每一个电流输入,所述电流输出被电连接到所述三个电流输入并且能够连接到负荷(200)。

2.根据权利要求1所述的集成磁性装置(1),其中所述三个磁性子组件(30)中的每一个包括第一磁轭(35)和第二磁轭(35’)并且其中不带气隙的所述闭合磁环包括所述两个缠绕分支、所述第一磁轭(35)和所述第二磁轭(35’)。

3.根据权利要求1或者2之一所述的集成磁性装置(1),其中所述三个磁性子组件(30)中的每一个包括在不带气隙的所述闭合磁环上组装的两个线轴(20)。

4.根据权利要求1到3之一所述的集成磁性装置(1),其中所述三个磁性子组件(30)中的每一个具有相同的分支。

5.根据权利要求1到3之一所述的集成磁性装置(1),其中进入所述第一公共磁轭或者第二公共磁轭中的磁通之和为零。

6.根据权利要求1到5之一所述的集成磁性装置(1),包括两个气隙:第一气隙(40)在所述三个磁性子组件(30)和所述至少一个第一公共磁轭(10;60,70;50)之间并且第二气隙(40’)在所述三个磁性子组件(30)和所述至少一个第二公共磁轭(10’;60’,70’;50’)之间。

7.根据权利要求1到6之一所述的集成磁性装置(1),包括一个第一公共磁轭(10;50)和一个第二公共磁轭(10’;50’)。

8.根据权利要求7所述的集成磁性装置(1),其中所述第一公共磁轭(50)和所述第二公共磁轭(50’)具有三角形或者圆形或者多边形形状,其中所述三个磁性子组件(30)被以三角形或者圆形或者多边形方式置放并且其中所述装置(1)包括孔(80)。

9.根据权利要求1到8之一所述的集成磁性装置(1),其中所述第一公共磁轭(10)和所述第二公共磁轭(10’)具有矩形形状,并且其中所述三个磁性子组件(30)被对准。

10.根据权利要求1到6之一所述的集成磁性装置(1),包括两个第一公共磁轭(60,70)和两个第二公共磁轭(60’,70’)。

11.根据权利要求10所述的集成磁性装置(1),包括两个孔(90)。

12.根据前面权利要求中任何一项所述的集成磁性装置(1),其中所述至少三个绕组(22)包括两个分裂绕组(S)和一个扩张器绕组(V)。

13.根据前面权利要求中任何一项所述的集成磁性装置(1),对于每一个磁性子组件(30)包括四个绕组(22),所述四个绕组包括两个分裂绕组(S)和两个扩张器绕组(V)。

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