[发明专利]用于标记太阳能电池的方法及太阳能电池无效
申请号: | 201080067306.9 | 申请日: | 2010-06-07 |
公开(公告)号: | CN103038890A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | J·米勒;M·舍夫;M·赫鲁斯卡;C·斯万克斯科;A·库克斯 | 申请(专利权)人: | 韩华Q.CELLS有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L23/544;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;陈潇潇 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 标记 太阳能电池 方法 | ||
1.一种用于标记太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:
提供太阳能电池基底(1);
选择识别标记(7)以用于在太阳能电池的制造过程的处理步骤期间识别所述太阳能电池基底(1);以及
形成穿过所述基底的多个通孔(2),其中所述多个通孔(2)的至少一部分被用来作为用于太阳能电池的发射极穿孔卷绕或者金属穿孔卷绕孔,以使所述识别标记由从所述多个通孔(2)中选择的一个或多个标记通孔(21)的几何特性来代表。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括以下步骤:将所述多个通孔(2)的基本上所有通孔或者一部分通孔的内部用金属或者掺杂源材料填充或者覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述识别标记被选择以包括具有一个或多个数字的字母数字码,并且所述多个通孔以以下方式形成:所述识别标记的每个数字由一个或多个所述标记通孔的几何特性代表。
4.根据上述任一项权利要求所述的方法,其特征在于,代表所述识别标记的所述标记通孔的几何特性包括所述一个或多个标记通孔相对于非标记通孔的几何特性的偏差。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在形成所述通孔期间,至少一个非标记通孔被置于两个标记通孔之间。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述几何特性包括由所述通孔形成的规则图案中一个或多个标记通孔相对于非标记通孔的位移。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述通孔形成包括线性行通孔的规则图案,其中所述几何特性包括沿着位移方向的位移,该位移方向垂直于或平行于所述线性行的行方向。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述通孔形成矩形或者正方形图案,其中所述几何特性包括一行或多行标记通孔相对于非标记通孔行的位移。
9.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述标记通孔位于所述太阳能电池基底的与非标记通孔分离的标记通孔区域中。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,该方法还包括以下步骤:通过边缘隔离将所述太阳能电池基底的所述标记通孔区域与非标记通孔分离。
11.一种太阳能电池,该太阳能电池包括太阳能电池基底和穿过所述太阳能电池基底形成的多个通孔的规则图案,其中所述多个通孔的一部分是发射极穿孔卷绕或者金属穿孔卷绕孔,其特征在于,所述多个通孔包括具有几何特性的至少一个或多个标记通孔,该几何特性代表识别所述太阳能电池基底的识别标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的