[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：

第1导电类型的半导体基板，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；

受光面侧电极，与所述杂质扩散层电连接地形成于所述半导体基板的一面侧；以及

背面侧电极，形成于所述半导体基板的另一面侧，

在包括所述杂质扩散层的所述半导体基板的一面侧中的形成了所述受光面侧电极的受光面侧电极形成区域，具备具有四角锥形状的第1凸部的第1凹凸构造，

在包括所述杂质扩散层的所述半导体基板的一面侧中的未形成所述受光面侧电极的区域，具备具有比所述第1凸部大的四角锥形状的第2凸部的第2凹凸构造。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，

在所述第1凸部中，形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是2μm~12μm的范围，

在所述第2凸部中，形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是12μm~22μm的范围。

3.根据权利要求1或者2所述的太阳能电池单元，其特征在于，

所述第1凹凸构造中包含的所述第1凸部中的6成以上的所述第1凸部中的形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是2μm~12μm的范围，

所述第2凹凸构造中包含的所述第2凸部中的6成以上的所述第2凸部中的形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是12μm~22μm的范围。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

所述半导体基板是硅基板。

5.一种太阳能电池单元的制造方法，该太阳能电池单元在半导体基板的一面侧具有受光面侧电极，其特征在于，包括：

第1工序，对第1导电类型的所述半导体基板的一面侧实施各向异性蚀刻，在所述半导体基板的一面侧形成具有四角锥形状的第1凸部的第1凹凸构造；

第2工序，对所述半导体基板的一面侧中的所述受光面侧电极的形成区域进一步实施各向异性蚀刻，在所述半导体基板的所述受光面侧电极的形成区域形成具有比所述第1凸部大的四角锥形状的第2凸部的第2凹凸构造；

第3工序，在所述半导体基板的一面侧使第2导电类型的杂质元素扩散而形成杂质扩散层；

第4工序，在所述半导体基板的一面侧中的形成了所述第2凹凸构造的区域，形成与所述杂质扩散层电连接的所述受光面侧电极；以及

第5工序，在所述半导体基板的另一面侧形成背面侧电极。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，

在所述第1凸部中，形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是2μm~12μm的范围，

在所述第2凸部中，形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是12μm~22μm的范围。

7.根据权利要求5或者6所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，

所述第1凹凸构造中包含的所述第1凸部中的6成以上的所述第1凸部中的形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是2μm~12μm的范围，

所述第2凹凸构造中包含的所述第2凸部中的6成以上的所述第2凸部中的形成所述四角锥形状的底面的大致正方形的一边的长度是12μm~22μm的范围。

8.根据权利要求5~7中的任意一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板是硅基板，

通过使用碱性溶液来进行各向异性蚀刻，形成所述第1凹凸构造以及第2凹凸构造。