[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一导电类型的第一晶片的第一主表面的表面层中选择性地形成第二导电类型的第一半导体区的第一区域形成步骤；

在所述第一区域形成步骤之后结合所述第一晶片的第一主表面和所述第一导电类型的第二晶片的第一主表面的结合步骤；

在所述第二晶片的第二主表面的表面层中在与形成在所述第一晶片的第一主表面中的第一半导体区相对应的位置处选择性地形成所述第二导电类型的第二半导体区的第二区域形成步骤；以及

扩散所述第一半导体区和所述第二半导体区以使所述第一半导体区和所述第二半导体区连续的扩散步骤。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述第二区域形成步骤中，所述第二半导体区被形成为在通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片的深度方向上与所述第一半导体区重叠。

3.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括：

在所述扩散步骤之后从所述第一晶片的第二主表面去除通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片、以及使所述晶片减薄以露出所述第二晶片的减薄步骤。

4.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括：

在所述扩散步骤和所述减薄步骤之间在所述第二晶片的第二主表面上形成绝缘栅双极晶体管的表面元件结构的元件结构形成步骤。

5.如权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述元件结构形成步骤中，形成还未形成金属布线层的所述表面元件结构，以及

在所述减薄步骤中，保护膜被设置成在形成所述金属布线层之前覆盖所述表面元件结构的表面，并且通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片减薄。

6.如权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述元件结构形成步骤和所述减薄步骤之间，进行光离子照射和热处理以调整通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片中的少数载流子的寿命。

7.如权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述元件结构形成步骤和所述减薄步骤之间，在高于或等于300°C且低于或等于400°C的温度下进行光离子照射和热处理达30分钟至90分钟以调整通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片中的少数载流子的寿命。

8.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括：

在所述减薄步骤之后在所述第二晶片的第一主表面中形成所述第二导电类型的第三半导体区而使其与所述第一半导体区接触的第三区域形成步骤。

9.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括：

在所述减薄步骤之后在所述第二晶片的第一主表面中形成所述第二导电类型的第三半导体区而使其与所述第一半导体区接触的第三区域形成步骤。

10.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述第三区域形成步骤之后，进行光离子照射和热处理以调整通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片中的少数载流子的载流子寿命。

11.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述第三区域形成步骤之后，在高于或等于300°C且低于或等于400°C的温度下进行光离子照射和热处理达30分钟至90分钟以调整通过结合所述第一晶片和所述第二晶片而获取的晶片中的少数载流子的载流子寿命。

12.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述第三区域形成步骤中，将第二导电类型的杂质离子植入所述第二晶片的第一主表面，并且在低于或等于1000°C的温度下进行热处理以形成所述第三半导体区。

13.如权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述第三区域形成步骤中，将第二导电类型的杂质离子植入所述第二晶片的第一主表面，并且在低于或等于1000°C的温度下进行热处理以形成所述第三半导体区。