[发明专利]成像光学系统以及具有该类型成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备有效
申请号: | 201080068347.X | 申请日: | 2010-07-30 |
公开(公告)号: | CN103038690A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | H-J.曼;A.埃普尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G02B17/06 | 分类号: | G02B17/06;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 光学系统 以及 具有 类型 用于 微光 投射 曝光 设备 | ||
1.一种成像光学系统(7),其具有多个反射镜(M1至M8),该多个反射镜将物平面(5)中的物场(4)成像于像平面(9)中的像场(8)中,在所述物场(4)和所述像场(8)之间的成像光(3)的光路中的最后一个反射镜(M8)具有用于所述成像光(3)通过的通孔(18),
其特征在于:
-所述成像光学系统(7)的、在所述物场(4)和所述像场(8)之间的所述成像光(3)的光路中的倒数第二个反射镜(M7)布置在所述像场(8)前方的成像光束(22)的外侧;
-所述倒数第二个反射镜(M7)的、在所述倒数第二个反射镜(M7)的光学使用区域中的反射面没有用于所述成像光(3)通过的通孔;
-其中所述成像光学系统(7)的所述多个反射镜(M1至M8)正好包含八个反射镜。
2.一种成像光学系统(7),其具有多个反射镜(M1至M8),该多个反射镜将物平面(5)中的物场(4)成像于像平面(9)的像场(8)中,
其特征为所述成像光学系统(7)的光学组件的布置使得产生小于10%的光瞳遮拦;
其中所述成像光学系统(7)的所述多个反射镜(M1至M8)正好包含八个反射镜。
3.根据权利要求2所述的成像光学系统,其中所述成像光学系统(7)的所述光学组件的布置使得产生小于5%的光瞳遮拦。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的成像光学系统,其特征在于,像方数值孔径(NA)至少为0.5。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的成像光学系统,其特征在于,所述成像光学系统(7)在所述成像光(3)的光路中的倒数第二个反射镜(M7)离所述像场(8)的工作间隔(dw)和像方数值孔径(NA)的乘积至少为10mm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的成像光学系统,其特征在于,在所述物场(4)和所述像场(8)之间的所述成像光(3)的光路中出现至少一个中间像。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的成像光学系统,其中,对于所述物场(4)和所述像场(8)之间的光路中的所述倒数第二个反射镜(M7)的使用的反射表面上的所有点,所述倒数第二个反射镜(M7)上的单独点上的平均入射角小于25度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的成像光学系统,其中
-在所述物场(4)和所述像场(8)之间的光路中的所述倒数第二个反射镜(M7)上的单独点上的入射角带宽(BWi)
-与所述像场(8)的最大场尺寸
的比率对于该反射镜(M7)的使用的反射表面上的所有点来说小于1.00度/mm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的成像光学系统,其特征在于,中心物场点的主光线(16)包括相对于所述物平面(5)的法线(N)的角度(α),该角度(α)大于5度。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的成像光学系统,其特征在于,所述成像光学系统(7)的倒数第二个反射镜(M7)为凸的。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的成像光学系统,其特征在于,所述成像光学系统(7)构造为用于微光刻的投射光学系统。
12.一种用于微光刻的投射曝光设备,
-具有根据权利要求11所述的投射光学系统(7);
-具有用于照明及成像光(3)的光源(2);
-具有用于将所述照明光(3)引导至所述成像光学系统(7)的物场(4)的照明光学系统(6)。
13.根据权利要求12所述的投射曝光设备,其特征在于,所述光源(2)构造为产生波长在5nm与30nm之间的照明光(3)。
14.一种用于制造结构化组件的方法,具有以下方法步骤:
-提供掩模母版(10)及晶片(11),
-借助根据权利要求12或13所述的投射曝光设备,将所述掩模母版(10)上的结构投射至所述晶片(11)的感光层上,
-在所述晶片(11)上制造微结构或纳米结构。
15.一种以根据权利要求14所述的方法制造的结构化组件。
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