[发明专利]有机EL元件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL元件，具备：

阳极；

阴极；

功能层，其配置于所述阳极与所述阴极之间，由包括使用有机材料形成的发光层的1层或多层构成；

空穴注入层，其配置于所述阳极与所述功能层之间；以及

堤栏，其规定所述发光层；

所述空穴注入层包含氧化钨；

构成所述氧化钨的钨元素以6价的状态及比该6价低的化合价的状态包含于所述空穴注入层；并且

所述空穴注入层包含粒径为纳米量级的大小的所述氧化钨的晶体；

在由所述堤栏规定的区域，所述功能层侧的表面的一部分形成为比其他的部分位于靠所述阳极侧的凹入构造；

所述凹入构造的凹部的内面与所述功能层接触。

2.根据权利要求1所述的有机EL元件，

所述比6价低的化合价为5价。

3.根据权利要求2所述的有机EL元件，

使所述5价的钨元素的原子数除以所述6价的钨元素的原子数而得到的值即W⁵⁺/W^6＋为3.2%以上。

4.根据权利要求3所述的有机EL元件，

所述W⁵⁺/W^6＋为3.2%以上且7.4%以下。

5.根据权利要求1所述的有机EL元件，

在所述空穴注入层表面的硬X射线光电子分光谱中，在比与6价钨的4f_7/2能级对应的第1波峰低的结合能区域存在第2波峰。

6.根据权利要求5所述的有机EL元件，

所述第2波峰存在于比所述第1波峰的结合能值低0.3~1.8eV的结合能区域。

7.根据权利要求5或6所述的有机EL元件，

所述第2波峰的面积强度相对于所述第1波峰的面积强度为3.2%~7.4%。

8.根据权利要求1~7中的任一项所述的有机EL元件，

通过比所述6价低的化合价的状态的钨元素的存在，在所述空穴注入层的能带构造中，在比价电子带中最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内具有占有能级。

9.根据权利要求1~8中的任一项所述的有机EL元件，

所述空穴注入层包含多个粒径为3~10纳米的大小的所述氧化钨的晶体。

10.根据权利要求1~9中的任一项所述的有机EL元件，

在所述空穴注入层剖面的通过透射型电子显微镜观察得到的晶格像中，呈现以的间隔规则地排列的线状构造。

11.根据权利要求10所述的有机EL元件，

在所述晶格像的2维傅立叶变换像中，呈现以该2维傅立叶变换像的中心点为中心的同心圆状的图案。

12.根据权利要求11所述的有机EL元件，

在表示距所述中心点的距离与所述距离处的标准化辉度的关系的曲线中，所述标准化辉度的波峰出现1次以上，所述标准化辉度是将所述2维傅立叶变换像的辉度标准化而得到的数值。

13.根据权利要求12所述的有机EL元件，

将所述曲线中与距所述中心点最近出现的所述标准化辉度的波峰的位置对应的所述距离和与所述标准化辉度的波峰的上升位置对应的所述距离之差设为波峰宽度，将与所述中心点对应的所述距离和与距所述中心点最近出现的所述标准化辉度的波峰对应的所述距离之差设为100时，所述波峰宽度小于22。

14.根据权利要求1~13中的任一项所述的有机EL元件，

所述功能层包含胺系材料。

15.根据权利要求1~14中的任一项所述的有机EL元件，

所述功能层为输送空穴的空穴输送层、用于光学特性的调整或电子阻挡的用途的缓冲层的任一种。

16.根据权利要求1所述的有机EL元件，

所述堤栏具有拨液性，所述空穴注入层具有亲液性。

17.一种有机EL面板，具备权利要求1~16中的任一项所述的有机EL元件。

18.一种有机EL发光装置，具备权利要求1~16中的任一项所述的有机EL元件。