[发明专利]多层存储阵列

权利要求书

1.一种多层存储阵列（500），包括：

多个层（514），每个层包括：

一组平行的顶部线，

与所述一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及

存储元件（200、216），设置在所述一组平行的顶部线和所述一组平行的底部线组之间的交叉位置；

其中，来自所述层（514）之一的一组平行的顶部线也是所述层（514）中相邻层的一组平行的底部线。

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其中所述存储元件（200、216）是忆阻存储元件。

3.根据权利要求2所述的存储阵列，其中所述忆阻存储元件包括金属氧化物材料。

4.根据权利要求1所述的存储阵列，其中所述存储元件（200、216）抑制电流在一个方向上的流动。

5.根据权利要求4所述的存储阵列，其中来自所述层（514）之一的所述存储元件（200、216）中的每个存储元件抑制电流在一个方向上流动，在所述层（514）中相邻层中的所述存储元件（200、216）中的每个存储元件抑制电流在与所述一个方向相反的方向上流动。

6.根据权利要求1所述的存储阵列，其中在所述存储元件两端的电极包括非还原性导电材料。

7.根据权利要求1所述的存储阵列，其中为了访问所述层（514）之一的存储元件（200、216），电压被施加至来自所述一组平行的顶部线的第一线和来自所述一组平行的底部线的第二线，所述顶部线和所述底部线连接至所述存储元件。

8.根据权利要求1所述的存储阵列，其中施加至来自所述层（514）之一的存储元件的电压的极性在将所述电压至所述层（514）中相邻层中的存储元件时被颠倒。

9.根据权利要求1所述的存储阵列，其中沿着相同线的多个存储元件（200、216）同时被访问。

10.一种存储系统，包括：

寻址电路；以及

多层交叉存储阵列（500），包括：

与第二组平行线相交叉的第一组平行线，第一组存储元件（200、216）被设置在所述第一组平行线和所述第二组平行线之间的交叉位置，

与所述第二组平行线相交叉的第三组平行线，第二组存储元件被设置在所述第二组平行线和所述第三组平行线之间的交叉位置；

其中所述第一组存储元件（200）抑制第一方向上的电流，所述第二组存储元件（216）抑制与所述第一方向相反的第二方向上的电流。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述存储元件（200、216）是忆阻存储元件。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述忆阻存储元件包括金属氧化物材料。

13.根据权利要求10所述的系统，其中在所述存储元件（200、216）两端的电极包括非还原性导电材料。

14.根据权利要求10所述的系统，其中为了访问所述第一组存储元件（200），第一电压被选择性地施加至所述第一组平行线和所述第二组平行线。

15.一种在多层存储阵列中访问数据的方法，所述方法包括：

用与所述存储阵列相关联的寻址电路，在被布置在第一组平行线和第二组平行线之间的第一存储元件（200）上施加电压，所述第二组平行线与所述第一组平行线相交叉；以及

用与所述存储阵列相关联的所述寻址电路，在被布置在所述第二组平行线和第三组平行线之间的第二存储元件（216）上施加电压，所述第三组平行线与所述第二组平行线相交叉；

其中所述第一存储元件（200）抑制第一方向上的电流，所述第二存储器（216）抑制与所述第一方向相反的第二方向上的电流。