[发明专利]具有与第一通路或中间通路结构连接的后触点的微电子元件

权利要求书

1.微电子单元，包括：

微电子元件，包括单晶形式的半导体区域，且具有沿第一方向延伸的正面、邻近所述正面的有源电路元件、远离所述正面的背面、朝所述背面延伸且通过无机介电层与所述半导体区域绝缘的导电通路、从所述背面穿过所述半导体区域的部分厚度的开口，沿所述第一方向所述开口和所述导电通路具有各自的宽度，在所述开口与所述导电通路相交处，所述开口的宽度比所述导电通路的宽度更大；及

后触点，与所述导电通路电连接，且在所述背面暴露，用于与外部电路元件电连接。

2.根据权利要求1所述的微电子单元，进一步包括在所述开口内的聚合物电介质，以及导电互连线，所述导电互连线使所述后触点与所述导电通路电连接并至少在所述开口内延伸，所述聚合物电介质使所述导电互连线与所述半导体区域分隔开。

3.根据权利要求2所述的微电子单元，其中所述导电互连线与所述开口的轮廓一致。

4.根据权利要求2所述的微电子元件，其中竖直方向为所述微电子元件的所述正面与所述背面之间的厚度的方向，所述导电互连线沿第一方向在所述导电通路与所述后触点之间延伸，所述第一方向至少基本竖直。

5.根据权利要求4所述的微电子元件，其中所述聚合物电介质包括沿所述第一方向延伸的孔隙，所述开口的邻近所述孔隙的表面沿第二方向朝着所述正面延伸，所述第二方向相对所述第一方向以锐角延伸。

6.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述导电通路包括金属。

7.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述金属包括钨、铜、镍、钛或铝中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述导电通路的至少一部分包括多晶半导体。

9.根据权利要求1所述的微电子单元，进一步包括暴露在所述微电子元件的所述正面的前触点，用于使所述微电子元件与外部电路元件电互连，其中所述正面沿横切于所述第一方向的第二方向延伸，所述导电通路与所述前触点电连接，且沿第一方向或第二方向中的至少一个方向，所述导电通路的至少一个边缘可位于所述前触点的边缘之外。

10.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述导电通路的宽度不大于10微米。

11.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口从所述背面延伸并具有沿所述第一方向的第一宽度，所述第二开口从所述第一开口朝着所述正面延伸，在所述第一开口与所述第二开口相交处，所述第二开口具有比所述第一宽度小的第二宽度，其中所述导电通路暴露在所述第二开口内，后触点通过所述第一开口和所述第二开口与所述导电通路电连接。

12.根据权利要求11所述的微电子单元，其中所述第二宽度比所述导电通路的宽度大。

13.根据权利要求11所述的微电子单元，其中沿朝着所述正面的方向，所述第二开口逐渐变小。

14.根据权利要求11所述的微电子单元，其中沿朝着所述第二开口的方向，所述第一开口逐渐变小。

15.根据权利要求1所述的微电子元件，其中所述微电子元件包括暴露在开口内的复数条导电通路，复数个后触点通过所述开口与所述导电通路电连接。

16.根据权利要求15所述的微电子元件，进一步包括与所述导电通路电连接、并沿所述开口的至少一个面朝所述后触点延伸的复数条导电迹线。

17.根据权利要求15所述的微电子元件，其中所述复数个后触点覆盖所述开口，所述微电子元件进一步包括从所述导电通路延伸至所述后触点的复数条导电互连线。

18.根据权利要求17所述的微电子元件，其中竖直方向为所述微电子元件的所述正面与所述背面之间的厚度方向，所述导电互连线沿所述竖直方向在所述导电通路与所述后触点之间延伸。

19.一种系统，包括根据权利要求1所述的结构，以及与所述结构电连接的一个或多个其他电子元器件。

20.根据权利要求19所述的系统，进一步包括外壳，所述结构和所述其他电子元器件安装至所述外壳。