[发明专利]屏蔽电缆

权利要求书

1.一种屏蔽电缆，包括：

多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆的相对的第一侧和第二侧上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置为使得在横截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成所述电缆的压紧部分；

第一EMI吸收层，所述第一EMI吸收层设置在所述电缆的所述第一侧上；和

第一粘合剂层，所述第一粘合剂层在所述电缆的压紧部分中将所述第一屏蔽膜粘合至所述第二屏蔽膜；

其中：

所述多个导体组包括第一导体组，所述第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在所述第一导体组的一侧上形成所述电缆的第一压紧区域的所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的对应第一压紧部分；

所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆盖部分之间的最大间距为D；

所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一压紧部分之间的最小间距为d₁；

d₁/D为小于0.25；

在所述第一绝缘导体和所述第二绝缘导体之间的区域中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆盖部分之间的最小间距为d₂；并且

d₂/D为大于0.33。

2.根据权利要求1所述的电缆，其中d₁/D为小于0.1。

3.根据权利要求1所述的电缆，其中所述第一EMI吸收层设置在所述第一屏蔽膜和所述多个导体组之间。

4.根据权利要求1所述的电缆，其中所述第一屏蔽膜设置在所述第一EMI吸收层和所述多个导体组之间。

5.根据权利要求1所述的电缆，还包括设置在所述电缆的所述第二侧上的第二EMI吸收层。

6.一种屏蔽电缆，包括：

多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，所述同心部分、所述压紧部分和所述过渡部分被布置为使得在横截面中，所述同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述压紧部分组合起来在所述导体组的两侧上形成所述电缆的压紧部分，并且所述过渡部分提供所述同心部分与所述压紧部分之间的逐渐过渡；和

第一EMI吸收层，所述第一EMI吸收层设置在所述多个导体组上；其中

每一个屏蔽膜包括导电层；

所述过渡部分中的第一过渡部分靠近所述一个或多个末端导体中的第一末端导体，并具有被限定为所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述导电层、所述同心部分与靠近所述第一末端导体的所述压紧部分中的第一压紧部分之间的区域的横截面积A₁，其中A₁小于所述第一末端导体的横截面积；并且

每一个屏蔽膜的横截面以在所述电缆的整个宽度上改变的曲率半径来表征，屏蔽膜中的每一个在所述电缆的整个宽度上的曲率半径为至少100微米。

7.根据权利要求6所述的电缆，其中所述横截面积A₁包括所述第一压紧部分的边界作为一条边界，所述边界由沿着所述第一压紧部分的位置限定，在该位置处，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之间的间距d为在所述第一压紧部分处所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之间的最小间距d₁的约1.2至约1.5倍。

8.根据权利要求7所述的电缆，其中所述横截面积A₁包括线段作为一条边界，所述线段具有在所述第一屏蔽膜的拐点处的第一端点。

9.根据权利要求7所述的电缆，其中所述线段具有在所述第二屏蔽膜的拐点处的第二端点。

10.一种屏蔽电缆，包括：

多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，所述同心部分、所述压紧部分和所述过渡部分被布置为使得在横截面中，所述同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在所述导体组的两侧上形成所述电缆的压紧区域，并且所述过渡部分提供所述同心部分与所述压紧部分之间的逐渐过渡；和

第一EMI吸收层，所述第一EMI吸收层设置在所述多个导体组上；其中

所述两个屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、所述压紧部分中的第一压紧部分，以及所述过渡部分中的第一过渡部分，所述第一过渡部分将所述第一同心部分连接至所述第一压紧部分；

第一同心部分具有曲率半径R₁，过渡部分具有曲率半径r₁；并且

R₁/r₁在2至15范围内。