[发明专利]陶瓷纳米管合成物中的相变能量存储有效

专利信息
申请号: 201080069358.X 申请日: 2010-09-29
公开(公告)号: CN103140561A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 赛思·阿德里安·米勒 申请(专利权)人: 英派尔科技开发有限公司
主分类号: C09K5/06 分类号: C09K5/06;H01L23/36;H01L23/42;H01L23/34;H01L23/373
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 纳米 合成物 中的 相变 能量 存储
【权利要求书】:

1.一种用于形成相变材料PCM合成物的方法,包括:

对纳米线材料进行处理以增强与PCM的兼容性;

将所述纳米线材料与PCM进行组合以形成掺和物;以及

对所述掺和物进行混合以形成PCM合成物。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在无极性溶剂中分散纳米线材料以形成纳米线-溶剂分散液;其中将所述纳米线材料与PCM进行组合包括向所述纳米线-溶剂分散液添加PCM以形成掺和物;以及其中所述掺和物包括纳米线-溶剂-PCM分散液。

3.根据权利要求2所述的方法,还包括加热所述纳米线-溶剂-PCM分散液。

4.根据权利要求3所述的方法,还包括在形成所述掺和物之后从所述纳米线-溶剂分散液中去除所述溶剂。

5.根据权利要求2所述的方法,还包括将所述纳米线-溶剂-PCM分散液加热到PCM熔化温度以上的温度。

6.根据权利要求2所述的方法,其中所述无极性溶剂是己烷。

7.根据权利要求1所述的方法,其中对所述纳米线材料进行处理包括引导所述纳米线材料的共价改性。

8.根据权利要求1所述的方法,其中对所述纳米线材料进行处理包括向所述纳米线材料涂覆表面活性剂。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述表面活性剂是三甲氧辛基硅烷或辛基磷酸。

10.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述PCM合成物形成为合适的形状。

11.根据权利要求1所述的方法,其中混合包括将所述纳米线材料拖拉通过熔化状态下的蜡以密封所述纳米线材料。

12.根据权利要求1所述的方法,还包括:将PCM溶解在溶剂中以形成PCM-溶剂分散液,其中将所述纳米线材料与PCM进行组合包括向所述PCM-溶剂分散液添加纳米线材料以形成掺和物,其中所述掺和物包括纳米线-溶剂-PCM分散液。

13.根据权利要求1所述的方法,将所述纳米线材料与PCM进行组合包括实质上同时向溶剂添加所述纳米线材料和PCM以形成掺和物,并且其中所述掺和物包括纳米线-溶剂-PCM分散液。

14.一种相变材料合成物,包括:

相变材料PCM;

在所述相变材料PCM中分散的共价或表面活性剂改性的纳米线的网络,其中所述纳米线具有范围在约10hm和约50nm之间的直径,并且其中所述纳米线具有最高至约500微米的长度;以及

其中所述相变材料合成物具有大于1GPa的模量。

15.根据权利要求14所述的相变材料,其中利用三甲氧辛基硅烷或辛基磷酸对所述纳米线进行改性。

16.根据权利要求15所述的方法,其中所述纳米线材料是氮化铝。

17.根据权利要求15所述的方法,其中所述相变材料是十二烷酸。

18.一种用于形成相变材料PCM合成物的系统,包括:

容器,配置为容纳溶剂、纳米线材料和PCM;

加热元件,与所述容器相关联,并且配置为将所述容器选择性地加热到适于去除所述溶剂的温度;

成形元件,配置为将剩余的PCM合成物形成为合适的形状和/或尺寸;以及

控制器,耦合至所述加热元件和/或所述成形元件中的一个或多个,并且配置为控制与用于形成PCM的系统相关联的工艺参数。

19.根据权利要求18所述的系统,其中所述容器中的溶剂、纳米线和PCM一起构成所述容器中的容纳物,并且所述系统还包括温度探头,所述温度探头配置为监测所述加热元件和所述容器的容纳物中的一个或多个的工作温度。

20.根据权利要求18所述的系统,还包括去除元件,与所述容器相关联并且配置为从所述容器中去除所述溶剂。

21.根据权利要求18所述的系统,还包括压力腔室,与所述容器相关联并且配置为对所述容器选择性地加压。

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