[发明专利]异硫氰酸酯化合物的制造方法

权利要求书

1.以式(2)

[化2]

(SCN)_m-A-B-(CO₂H)_n  (2)

表示的具有羧基的异硫氰酸酯化合物的制造方法，其特征在于，

使以式(1)

[化1]

(H₂N)_m-A-B-(CO₂H)_n  (l)

表示的具有羧基的氨基化合物与硫代羰基二咪唑在溶剂中于碱的存在下反应；

式(1)中，m和n分别独立地表示1或2的整数，A为C_6-14芳香族烃基或C_1-12饱和烃基，该C_6-14芳香族烃基和C_1-12饱和烃基无取代或者被卤素原子、硝基、氰基、C_1-6烷基、羟基、被保护的羟基、C_1-6烷氧基、二C_1-6烷基氨基、被保护的氨基、被保护的单C_1-6烷基氨基、C_1-6烷基羰基或C_1-6烷氧基羰基取代，且该C_1-12饱和烃基中的亚甲基可被氧原子、被C_1-6烷基取代的氮原子或被保护的氮原子取代，B为单键、C_6-14芳香族烃基或C_1-12饱和烃基，该C_6-14芳香族烃基和C_1-12饱和烃基无取代或者被卤素原子、硝基、氰基、C_1-6烷基、羟基、被保护的羟基、C_1-6烷氧基、二C_1-6烷基氨基、被保护的氨基、被保护的单C_1-6烷基氨基、C_1-6烷基羰基或C_1-6烷氧基羰基取代，且该C_1-12饱和烃基中的亚甲基可被氧原子、被C_1-6烷基取代的氮原子或被保护的氮原子取代；式(2)中，m、n、A和B分别与式(1)中的定义相同。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，A为C_6-14芳香族烃基，该C_6-14芳香族烃基无取代或者被卤素原子、硝基、氰基、C_1-6烷基、被保护的羟基、C_1-6烷氧基、二C_1-6烷基氨基、被保护的氨基、被保护的单C_1-6烷基氨基、C_1-6烷基羰基或C_1-6烷氧基羰基取代，B为单键。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，A为C_6-14芳香族烃基，该C_6-14芳香族烃基无取代或者被卤素原子或硝基取代。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，m为1，n为1。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，A为亚苯基，该亚苯基无取代或者被卤素原子或硝基取代。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的制造方法，其特征在于，碱为叔胺。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，碱为三C_1-6烷基胺。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，碱为三乙胺。

9.如权利要求1～8中的任一项所述的制造方法，其特征在于，溶剂为卤代烃。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，溶剂为二氯甲烷。

11.如权利要求1～10中的任一项所述的制造方法，其特征在于，使具有羧基的氨基化合物在溶剂中于碱的存在下与硫代羰基二咪唑反应后，用酸性水溶液进行处理。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，酸性水溶液为盐酸。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，用盐酸进行处理后，在不经分液操作的情况下进行过滤操作。

14.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，用盐酸进行处理后，在不经分液操作的情况下加入不良溶剂后进行过滤操作。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，不良溶剂为水或C_5-8烷烃。