[发明专利]薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊

权利要求书

1.一种用于制造半导体元器件(166)的方法，包括下列步骤：

a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片(110)在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，

b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，

c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及

d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。

2.按照前述权利要求所述的方法，其中，在方法步骤d)中使用低共熔压焊法。

3.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述贯穿接触部填充材料(142)包括至少一种半导体材料，特别是锗。

4.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述焊盘(152)包括铝。

5.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，在所述贯穿接触步骤中，同时至少一个贯穿接触部(128)的至少一个壁(138)和/或所述半导体芯片(110)的至少一个侧壁(136)被涂上所述贯穿接触部填充材料(142)。

6.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，在所述贯穿接触步骤中，在所述背面(132)上制造至少一个框架(156)、特别是封闭的框架(156)，其中在将所述半导体芯片(110)施加到载体衬底(150)上后，在所述框架(156)内产生一个中间腔(164)、特别是气密封闭的中间腔(164)。

7.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述半导体芯片(110)包括至少一个下列元件：集成电路；传感器结构部；微机械结构部(182)。

8.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，在所述贯穿接触步骤中使用共形沉积法，特别是液相沉积法和/或CVD法。

9.按照前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，在所述贯穿接触步骤之前，在所述半导体芯片(110)上施加至少一种绝缘材料(124、134)。

10.一种半导体元器件(166)，所述半导体元器件能够按照前述权利要求中任意一项所述的方法制造。

11.按照前述权利要求所述的半导体元器件(166)，其中，所述半导体元器件(166)从下列半导体元器件(166)中选出：传感器元件(168)；压力传感器(170)；惯性传感器(178)；加速度传感器(180)；开关。