[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：

基底，其中，基底限定基底中的具有锥形形状的腔、形成在腔的上端上的阶梯部分和形成在腔的底部中的通孔；

导电膜，其中，导电膜填充通孔并且形成在腔的侧表面和底部上；

发光二极管，具有在发光二极管上的荧光层，其中，发光二极管倒装芯片式地结合到导电膜上；

包封剂，包封腔。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，导电膜是Al膜或Ag膜。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，导电膜形成在阶梯部分之下。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，基底是硅基底。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括形成在基底的在腔之下的区域中的齐纳二极管。

6.如权利要求4所述的发光二极管封装件，其中，发光二极管包括多个发光单元。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括形成在基底的上部上的整流器。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，整流器是二极管桥。

9.一种制造发光二极管封装件的方法，所述方法包括：

准备绝缘硅基底；

在硅基底中形成腔并在腔的上端中形成阶梯部分，其中，发光二极管将被安装在腔中；

在腔的底部中形成通孔；

在通孔、腔的底部和侧表面上形成导电膜；

将发光二极管倒装芯片式地结合在腔的底部上的导电膜上，其中，发光二极管具有形成在发光二极管上的荧光层；

对腔进行包封。

10.如权利要求9所述的方法，其中，形成导电膜的步骤包括将Al或Ag沉积在腔的底部和侧表面上。

11.如权利要求10所述的方法，其中，将导电膜形成在阶梯部分之下。

12.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括：在形成通孔之后，将齐纳二极管形成硅基底上并在腔之下的区域中。

13.如权利要求12所述的方法，其中，通过离子注入形成齐纳二极管。

14.如权利要求9所述的方法，其中，发光二极管包括多个发光单元。

15.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括在形成腔的步骤之后，在硅基底的上部上形成整流器。

16.如权利要求15所述的方法，其中，通过在基底上桥接二极管来形成整流器。