[发明专利]二次电池用负极材料、二次电池用负极、二次电池用负极材料的制造方法和二次电池用负极的制造方法无效
申请号: | 201080070412.2 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN103229334A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 坂口裕树;薄井洋行;井上良二;安藤节夫;浅田贤 | 申请(专利权)人: | 株式会社新王材料;国立大学法人鸟取大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 电池 负极 材料 制造 方法 | ||
1.一种二次电池用负极材料,其特征在于:
其为构成在二次电池用负极(200、500)的集电体层(201)上形成的活性物质层(202、502)的二次电池用负极材料(100),
所述二次电池用负极材料包括:
Si颗粒(1);和
以局部地覆盖所述Si颗粒的表面(1a)的方式呈岛状、点状或网状地分布而形成的包含Ni和P的包覆材料(2)。
2.如权利要求1所述的二次电池用负极材料,其特征在于:
所述包覆材料覆盖所述Si颗粒的表面中的1%以上25%以下的所述表面。
3.如权利要求1所述的二次电池用负极材料,其特征在于:
所述包含Ni和P的包覆材料的至少一部分是Ni3P的晶体结构。
4.如权利要求1所述的二次电池用负极材料,其特征在于:
所述包覆材料包括0.5质量%以上50质量%以下的P、和Ni。
5.如权利要求4所述的二次电池用负极材料,其特征在于:
所述包覆材料包括5质量%以上16质量%以下的P、和Ni。
6.一种二次电池用负极,其特征在于,包括:
集电体层;和
在所述集电体层的表面上形成的活性物质层,
所述活性物质层包括:
Si部分(1、221)和
以呈岛状、点状或网状地分布在所述Si部分或所述Si部分间的方式形成的具有Ni和P的包覆部分(2、222)。
7.如权利要求6所述的二次电池用负极,其特征在于:
在所述活性物质层的所述Si部分或所述Si部分间,形成有空隙(223、523)。
8.如权利要求7所述的二次电池用负极,其特征在于:
所述空隙以所述活性物质层的20体积%以上70%体积以下的比例形成。
9.如权利要求6所述的二次电池用负极,其特征在于:
所述活性物质层的厚度为1μm以上20μm以下。
10.如权利要求6所述的二次电池用负极,其特征在于:
所述活性物质层的包覆部分包含0.5质量%以上50质量%以下的P、和Ni。
11.如权利要求6所述的二次电池用负极,其特征在于:
所述活性物质层包括:Si层(221);和以呈岛状、点状或网状地分布于所述Si层的方式形成的具有Ni和P的所述包覆部分。
12.如权利要求6所述的二次电池用负极,其特征在于:
所述活性物质层包括:多个Si颗粒(1);和以局部地覆盖所述Si颗粒的表面的方式呈岛状、点状或网状地分布而形成的具有Ni和P的包覆材料(2)。
13.一种二次电池用负极材料的制造方法,其特征在于,包括:
准备Si颗粒的工序;和
使包含Ni和P的包覆材料以局部地覆盖所述Si颗粒的表面的方式呈岛状、点状或网状地分布的工序。
14.如权利要求13所述的二次电池用负极材料的制造方法,其特征在于:
使所述包覆材料分布的工序,包括通过进行镀敷处理而使所述包覆材料分布的工序。
15.如权利要求13所述的二次电池用负极材料的制造方法,其特征在于:
使所述包覆材料分布的工序,包括以覆盖所述Si颗粒的表面之中的1%以上25%以下的所述表面的方式使所述包覆材料分布的工序。
16.如权利要求13所述的二次电池用负极材料的制造方法,其特征在于:
使所述包覆材料分布的工序,包括以使得所述包含Ni和P的包覆材料的至少一部分成为Ni3P的晶体结构的方式使所述包覆材料分布的工序。
17.如权利要求13所述的二次电池用负极材料的制造方法,其特征在于:
所述包覆材料包括0.5质量%以上50质量%以下的P、和Ni。
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