[发明专利]用于超声应用的传输通道的开关电路、用于驱动开关电路的传输通道及方法

权利要求书

1.一种用于超声应用的传输通道(1)的开关电路(10)，该开关电路(10)插入在连接端子(Xdcr)和低压输出端子(LVout)之间并且包括接收开关(30)，其特征在于该开关电路(10)包括高压箝位电路(HV1)和低压箝位开关(25)，该高压箝位电路(HV1)插入在所述连接端子(Xdcr)和中心节点(Vc)之间，该低压箝位开关(25)插入在所述中心节点(Vc)和连接到参考电压(GND)的端子之间，所述接收开关(30)为低压并且插入在所述中心节点(Vc)和所述低压输出端子(LVout)之间，以相对于彼此互补的方式控制所述箝位开关(25)和所述接收开关(30)。

2.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于所述箝位电路(HV1)包括插入在所述连接端子(Xdcr)和所述中心节点(Vc)之间并且具有连接到驱动模块(13)的相应的控制端子(G_M1，GM_2)的第一开关晶体管和第二开关晶体管(M1、M2)，所述第一开关晶体管和第二开关晶体管(M1、M2)是高压MOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的开关电路，其特征在于所述箝位电路(HV1)还包括第三开关晶体管(M3)和第四开关晶体管(M4)，该第三开关晶体管(M3)连接到所述连接端子(Xdcr)和所述第一开关晶体管(M1)，该第四开关晶体管(M4)连接到所述第二开关晶体管(M2)和所述连接端子(Xdcr)，所述第三开关晶体管和第四开关晶体管(M3和M4)是当所述箝位电路(HV1)激活时能够关闭自身并且当所述箝位电路(HV1)未激活时能够支持高的正电压和负电压的高压MOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的开关电路，其特征在于所述第三开关晶体管和第四开关晶体管(M3和M4)具有相应的反串联连接的等效物或体二极管，并且具有连接到所述驱动模块(13)的相应的控制端子(G_M3，G_M4)，所述第三开关晶体管和第四开关晶体管(M3和M4)相对于所述第一开关晶体管和第二开关晶体管(M1和M2)是相反的类型。

5.根据权利要求4所述的开关电路，其特征在于所述驱动模块(13)包括输入电路(40)，其通过驱动电路(50)继而连接到所述箝位电路(HV1)，所述驱动电路(50)具有以交叉(crossed)的方式插入在所述第一开关晶体管和第二开关晶体管(M1和M2)的所述控制端子(G_M1和G_M2)之间的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管(Md1和Md2)。

6.根据权利要求5所述的开关电路，其特征在于所述驱动电路(50)包括插入在所述第一开关晶体管(M1)的所述控制端子(G_M1)和所述第四开关晶体管(M4)的所述控制端子(G_M4)之间的所述第一驱动晶体管(Md1)和插入在所述第二开关晶体管(M2)的所述控制端子(G_M2)和所述第三开关晶体管(M3)的所述控制端子(G_M3)之间的所述第二驱动晶体管(Md2)，所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管(Md1和Md2)具有连接到所述参考电压(GND)的相应的控制端子。

7.根据权利要求6所述的开关电路，其特征在于所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管(Md1和Md2)是高压MOS晶体管，所述第一驱动晶体管(Md1)是具有P沟道的高压MOS晶体管(HV Pmos)而所述第二驱动晶体管(Md2)是具有N沟道的MOS晶体管(HV Nmos)，所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管(Md1和Md2)包括相应的第一等效二极管和第二等效二极管(DMd1和DMd2)。

8.根据权利要求5所述的开关电路，其特征在于所述输入电路(40)包括彼此并联的第一电路支路(41)和第二电路支路(42)插入在第一箝位电源基准电压和第二箝位电源基准电压(Vdd和Vcc)之间，所述第一电路支路(41)包括连接到所述第一开关晶体管(M1)的所述控制端子(G_M1)的第一内节点X1并且所述第二电路支路(42)包括连接到所述第二开关晶体管(M2)的所述控制端子(G_M2)的第二内节点(X2)。