[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备n型III族氮化物半导体层和与此n型III族氮化物半导体层表面形成欧姆接触的电极，其特征为，所述表面为半极性面。

2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征为，所述半极性面由{10-1-1}面群构成。

3.如权利要求2中所述的半导体装置，其特征为，所述表面通过将n型III族氮化物半导体的氮极性面进行异方性化学蚀刻而形成，所述n型III族氮化物半导体装置的表面具备由所述半极性面构成的凹凸。

4.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征为，所述n型III族氮化物半导体层为通过外延生长而形成于生长用基板上的单结晶，

所述氮极性面为外延生长后通过分离所述n型III族氮化物半导体层和所述生长用基板而得到的所述生长用基板一侧的面。

5.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的半导体装置，其特征为，所述电极在所述n型III族氮化物半导体层的半极性面具备按照钛（Ti）、镍（Ni）、金（Au）的顺序层积而成的结构。

6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的半导体装置，其特征为，使电流从所述电极向与所述表面的主面垂直的方向上通流从而进行工作。

7.如权利要求1至权利要求6中任一项所述的半导体装置，其特征为，在所述n型III族氮化物半导体层上的一边的主面一侧，所述电极形成于由半极性面构成的表面上，且与所述电极连结的其他电极形成于所述n型III族氮化物半导体层上的另一边的主面一侧。

8.如权利要求7中所述的半导体装置，其特征为，所述其他电极形成于在所述III族氮化物半导体上的Ga极性面一侧形成的凹槽构造的底面。

9.如权利要求7至权利要求8中任一项所述的半导体装置，其特征为，所述其他电极包含镍（Ni）。

10.如权利要求7至权利要求8中任一项所述的半导体装置，其特征为：所述其他电极具备了铬（Cr）、镍（Ni）、金（Au）依次层积而成的结构。

11.一种半导体装置的制造方法，其使用n型III族氮化物半导体层，其特征为具备：

生长工序，使得所述n型III族氮化物半导体层在生长用基板上外延生长；

剥离工序，分离所述n型III族氮化物半导体层与所述生长用基板，使得位于所述n型III族氮化物半导体层上的所述生长用基板一侧的面暴露出来；

表面蚀刻工序，对于位于所述n型III族氮化物半导体层上的所述生长用基板一侧的面实施异方性化学蚀刻，从而在位于所述n型III族氮化物半导体层上的所述生长用基板一侧的面，形成半极性面暴露出来的表面；

以及电极形成工序，在所述表面上形成电极。

12.如权利要求11中所述的半导体装置的制造方法，其特征为，所述表面蚀刻工序中的异方性蚀刻为使用碱性溶液的湿式蚀刻。

13.如权利要求11或12中所述的半导体装置的制造方法，其特征为，

在所述生长工序中，所述n型III族氮化物半导体层经由剥离层形成于所述生长用基板上；

在所述剥离工序中，通过选择性地对所述剥离层进行蚀刻，分离所述n型III族氮化物半导体层和所述生长用基板。