[其他]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201090000830.X | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN202917448U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
硅衬底；
形成于所述硅衬底上的宽带隙半导体层；以及
形成于所述宽带隙半导体层上的硅层；
所述宽带隙半导体层由以下任一种或多种的组合形成：GaP、GaAs、AlAs；
其中所述宽带隙半导体层包括至少一层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述宽带隙半导体层的厚度是5～50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硅层的厚度是5～20nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述宽带隙半导体层由宽带隙半导体材料形成，所述宽带隙半导体材料的带隙宽度大于1.5ev。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，形成所述宽带隙半导体层的半导体材料的晶格常数与Si的晶格常数的差值小于等于2％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
