[其他]多结太阳能电池有效
| 申请号： | 201090001501.7 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN203707143U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 丽贝卡·伊丽莎白·琼斯;侯曼·伯纳德·禺恩;刘楟;普拉诺·米萨 | 申请（专利权）人： | 太阳结公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种多结太阳能电池，其特征在于，包括：
第一子电池；
第二子电池；
GaInNAsSb子电池；
基底；
所述GaInNAsSb子电池与所述基底相邻，并且依次包括：前表面场层、发射体层、GaInNAsSb基座层以及背表面场层。
2.如权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述GaInNAsSb基座层的厚度为1000nm至2000nm。
3.如权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述基底为GaAS基底或Ge基底。
4.如权利要求1-3中任一项所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述第一子电池和所述第二子电池之间存在隧道结，并且在所述第二子电池和所述GaInNAsSb子电池之间存在隧道结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
