[发明专利]一种马铃薯脱毒苗茎段基质漂浮育苗方法

权利要求书

1.一种马铃薯脱毒苗茎段基质漂浮育苗方法，其特征在于包括如下步骤：

1)、在温网室内将苗床建成宽1.5米、深0.15米的底部密封水槽。用1％福尔马林溶液将水槽消毒后注入清水。

2)、基质准备：珍珠岩与草炭按1∶1配比，每立方米基质加入2kg复合肥(N∶P∶K为15∶15∶15)充分拌匀。用喷雾器喷雾将拌好的基质喷潮，装入长0.7米、宽0.4米，深0.06米的每盘162个穴的底部带孔的塑料泡沫育苗盘。

3)、处理茎段的生根液：含100PPm的奈乙酸加入50PPm农用链霉素。

4)、脱毒苗炼苗：将繁殖出来的脱毒苗连瓶子取出培养室，在温室中盖上75％的遮阳网炼苗3天。

5)、扦插：将炼好的脱毒苗从瓶子取出，用剪刀剪成两节一小段，放入消过毒的小盘。用消过毒的镊子夹起小茎段，在生根液中处理茎段的下端切口处，插入育苗盘的孔穴中。

6)、插满一盘后用喷雾器喷湿穴盘表面，放入育苗池。育苗池上遮盖75％遮光网，扦插后5天摘除。

7)、扦插7天后在叶面喷施浓度为0.2％的特制叶面肥一次。扦插10-12天后抽干育苗池里的水炼苗，喷施预防防晚疫病的药一次。扦插后12天-20天后将苗从育苗盘连根带基质取出，供大田种植。

2.根据权利要求1所述的马铃薯脱毒苗茎段基质法漂浮育苗的方法，其特征在于：将苗床建成1.5米、深0.15米的底部密封水槽，用1％福尔马林溶液将水槽消毒后注入清水待用。

3.根据权利要求1所述的马铃薯脱毒苗茎段基质法漂浮育苗的方法，其特征在于：基质按珍珠岩与草炭1∶1配比，每立方基质加入2公斤N∶P∶K为15∶15∶15的复合肥充分拌匀，用喷雾器喷潮后装入底部带孔的塑料泡沫育苗盘。

4.根据权利要求1所述的马铃薯脱毒苗茎段基质法漂浮育苗的方法，其特征在于：处理茎段的生根液为100PPm的奈乙酸加入50PPm农用链霉素。

5.根据权利要求1所述的马铃薯脱毒苗茎段基质法漂浮育苗的方法，其特征在于：用剪刀将脱毒组培苗剪成两节一个茎段，在生根液中处理茎段的下端切口处，插入育苗盘孔穴的基质中。

6.根据权利要求1所述的马铃薯脱毒苗茎段基质法漂浮育苗的方法，其特征在于：培养前5天用75％的遮光网遮光，扦插7天后喷施叶面肥一次；扦插10天后抽干育苗池里的水炼苗，喷施预防晚疫病的药一次。