[发明专利]碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块有效
| 申请号： | 201110000519.6 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102130021A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 丁荣军;罗海辉;雷云;李继鲁;吴煜东;刘国友;彭勇殿;张明;温家良;金锐 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/29;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 模块 封装 方法 | ||
1.一种碳化硅功率模块的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；
在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；
将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；
用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在安装底座、管壳和管盖之前，还包括：
在环氧树脂与钼板、氮化硅隔离层和碳化硅芯片的接触面填充硅胶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，打磨钼板的阴极面，使钼板的阴极面平整并与钼板阳极面平行。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在碳化硅芯片上焊接钼块时，使用Au-20％Ge作为焊料。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，收集引线并引出具体为：
在钼板中央收集引线并引出，引线引出之后采用套环绝缘。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，管壳材料为柯阀合金，与瓷环的匹配封接成圆环形。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装为使用冷压焊密封。
8.一种碳化硅功率模块，其特征在于，碳化硅芯片焊接在钼板的阳极钼片和阴极钼片之间，碳化硅芯片的外周为氮化铝隔离层；碳化硅芯片上设有钼块，门极引线从钼块的门极引线槽内引出，由内置弹簧的压环固定；
环氧树脂填充在钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片上，外周分别安装有底座、管壳和管盖。
9.如权利要求8所述的模块，其特征在于，环氧树脂与钼板、氮化硅隔离层和碳化硅芯片的接触面填充有硅胶。
10.如权利要求8所述的模块，其特征在于，所述钼板的阴极面平整并与钼板阳极面平行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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