[发明专利]一种微电极阵列的制备方法

权利要求书

1.一种微电极阵列的制备方法，其特征在于该方法通过下述步骤制备微电极阵列：

a.首先在导电的纤维材料表面涂布绝缘高分子材料以形成绝缘层；

b.将涂布有绝缘层的导电纤维单层取向排列并用绝缘高分子材料固定以形成含单层取向导电纤维的片材；

c.将含单层取向导电纤维的片材沿纤维取向相互叠加并用高分子材料固定形成取向导电纤维的块材；

d.将取向导电纤维的块材沿纤维轴向的垂直方向进行机械切割、打磨获得含两个绝缘高分子材料间隔的导电材料点阵列平面的薄片；

e.将所述含两个导电材料点阵列平面薄片的一个导电材料点阵列平面作为电极电接触部分，而另外一面布线、封装即得平板微阵列电极；

或将所述含两个导电材料点阵列平面薄片的一个导电材料点阵列平面去除部分高分子材料以暴露部分导电材料，成为针状导电材料，另外一面进行布线、封装即得针状微阵列电极。

2. 根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于所述绝缘高分子材料间隔的尺寸通过控制导电纤维表面包覆的绝缘高分子材料及固定取向排列导电纤维的高分子绝缘材料确定。

3. 根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于所述高分子材料的去除方法包括反应等离子刻蚀法、激光加工法、溶剂溶解法及高温熔融法。

4.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于所述导电材料点阵列修饰金、铂或者其合金。

5.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于所述针状导电材料先通过腐蚀提高针头的尖锐性，然后在针状导电材料针体涂布绝缘材料，最后去除针状导电材料顶部的绝缘材料。