[发明专利]一种太阳能电池组件内用导线及其加工工艺无效
申请号: | 201110001569.6 | 申请日: | 2011-01-06 |
公开(公告)号: | CN102157592A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 柳国伟;王士钊;尹伟勇;寇翠青 | 申请(专利权)人: | 上海晶澳太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/02;H01L31/18;C22F1/08 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 201401 上海市奉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 导线 及其 加工 工艺 | ||
技术领域
本发明属于太阳电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池组件内用导线。
背景技术
随着社会经济的迅速发展和人民生活水平的不断提高,对能源的需求量也在日益增加,太阳能作为一种可持续新能源,因其具有节能环保的优点而受到了广泛青睐,目前,太阳能电池已逐步应用于人们的日常生活领域中。
太阳能电池的实际利用是以单体太阳能电池组装成太阳能光伏组件来实现的,其中,焊带和汇流带均起到连接太阳能电池和导电的作用。现有的焊带与汇流带属于两种不同规格的物品,焊带和汇流带一般是采用涂锡铜带。
现有太阳能光伏组件内用导线(指非接触电池片部分的焊带或汇流条)存在以下缺陷;1、导电能力比铜低;2、加工工艺复杂,成本高;3、外型适应性差。
发明内容
本发明目的在于提供一种结构简单、实用,导电能力高的太阳能电池组件内用导线。
本发明的目的还在于提供上述太阳能电池组件内用导线的加工工艺,该工艺简单、成本低。
本发明的第一个目的通过以下的技术措施来实现:一种太阳能电池组件内用导线,采用经预处理和防氧化处理后的导电铜带制成。
所述的预处理包括将铜基材经裁剪或压扁处理后再经退火制成导电铜带。
所述的防氧化处理为采用化学试剂对导电铜带进行防氧化处理。
本发明的第二个目的是通过如下技术方案来实现的:上述太阳能电池组件内用导线的加工工艺,包含以下步骤:
(1)将铜基材经裁剪或碾压处理后形成导电铜带;
(2)退火处理;
(3)将导电铜带经化学试剂防氧化处理即制备获得。
在上述工艺步骤中:
步骤(2)中退火的温度为150-250℃。
步骤(3)中所述的化学试剂为铜防氧化(防变色)保护剂,该铜防氧化(防变色)保护剂购自深圳市格森科技有限公司,可用作安全防斑点剂,增亮剂;表面保护剂;能持久的保护铜制品表面氧化斑点锈迹再生。
其中,在步骤(3)中使用化学试剂渗透到铜离子表面的空隙中,然后洗干净铜表面的化学溶液,烘干铜材表面的水分即可,化学溶液在铜离子空隙间形成一层均匀的保护膜,能有效的隔绝自然界中的氧。
本发明是采用带化后的铜基材,用防氧化试剂按工艺对其进行处理,免用涂锡处理,因此能够省去锡涂层的使用,由于铜的电导率大于锡,所以相同的横截面条件下拓宽了导线的导电能力;同时,由于锡的密度小于铜,所以相同电导情况下,导线薄化提高了太阳能组件加工工艺适应性。
与现有技术相比,本发明具是有如下有益效果:
①.本发明在铜导线的外表面采用化学试剂进行防氧化处理,省去了锡涂层,因此节省了空间,提高了导线的导电能力;
②.本发明改变了导线的结构,导线由单一铜组成,省去了涂锡层,铜的电阻率为1.75×10-6欧姆.厘米,锡的电阻率为12.6×10-6欧姆.厘米,所以单位体积单一铜的导电率要好,从而增强了导线的导电能力;并增加了太阳能组件生产工艺适应性。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供的一种太阳能电池组件内用导线,采用如下工艺加工制成:
(1)采用常规工艺对铜带进行剪切或压轧,再退火处理;
(2)、按质量监控要点,对其半成品进行质量监控;
(3)、成型的导线,进行化学处理,再风干后,密封包装保存;
(4)、检查合格,即为成品。
其中,为了调节经剪切或压轧处理后的铜基材的软硬度,需进行退火处理,退火处理时的温度为150℃,化学处理时的化学溶液为铜防氧化(防变色)保护剂,该铜防氧化(防变色)保护剂购自深圳市格森科技有限公司,可用作安全防斑点剂,增亮剂;表面保护剂;能持久的保护铜制品表面氧化斑点锈迹再生。
实施例2
本实施例提供的一种太阳能电池组件内用导线,采用经预处理和防氧化处理后的导电铜带制成,预处理包括将铜基材先经裁剪或碾压处理,防氧化处理采用化学试剂进行处理,其具体的加工工艺如下:
(1)将铜基材经裁剪或碾压处理后形成导电铜带;
(2)退火处理;
(3)将导电铜带经化学试剂防氧化处理即制备获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的