[发明专利]压电振荡器有效

专利信息
申请号: 201110001880.0 申请日: 2011-01-06
公开(公告)号: CN102122933A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 久保田元;伊东雅之;岸正一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;孙海龙
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 振荡器
【说明书】:

技术领域

本文讨论的实施方式涉及压电振荡器。

背景技术

一般地说,在包含压电元件的封装中提供诸如压电晶体单元的晶体单元。通常,设置在封装的外表面上的外部电极电连接至该封装的内部电极。该内部电极连接至该封装内部容纳的压电元件的电极。

压电元件通常具有两个电极,该两个电极可以利用导电粘合剂连接至该封装的两个内部电极。在一种利用导电粘合剂连接电极的方法中,利用配送器将一定量的导电粘合剂施加到封装的两个内部电极,然后经由导电粘合剂将压电元件的两个电极设置在封装的两个内部电极上。之后导电粘合剂凝固。因此,利用两个压电元件电极和封装的两个内部电极之间设置的导电粘合剂来将压电元件设置在封装内部。

在这种情况下,电极之间的导电粘合剂可能流出并与封装的另一部分接触,导致短路或者改变晶体单元的振荡频率。传统的技术致力于通过在封装中提供凹陷部分以容纳导电粘合剂并且在凹陷部分的底部形成通孔来克服以上问题。该技术使得过多的导电粘合剂经由通孔流出凹陷部分(例如,参照JP-A-8-316771)。

还提出了在由导电粘合剂结合的部分与没有结合的部分之间提供凹陷部分或通孔,使得通过凹陷部分或者经由通孔收集过多的导电粘合剂(例如,参照JP-A-2007-288644)。

另一提出的方法涉及在经由导电粘合剂部分将压电元件的铅电极连接至封装的内部电极时相比粘合剂部分的中部或后部的厚度增加导电粘合剂部分的前部的厚度(例如,参照JP-A-2004-222006)。可以通过从配送器的喷嘴将液体导电粘合剂滴落在内部电极上来利用导电粘合剂覆盖封装的内部电极。在这种情况下,所滴落的导电粘合剂的量和滴落的位置可能在两个内部电极之间变化。图1是具有两个内部电极4-1和4-2的封装2的内部的平面图,已经从配送器向两个内部电极4-1和4-2上滴落了导电粘合剂6。可见,由于导电粘合剂的滴落量和滴落位置的变化,导电粘合剂6的滴的大小和位置在内部电极4-1和4-2之间不同。

如图1所示,当导电粘合剂6的滴落位置或滴落量在内部电极4-1和4-2之间不同时,压电元件的振动频率会不稳定,或者压电元件可能不能振荡。例如,随着导电粘合剂6凝固,压电元件的应力分布可能变得不均匀,导致压电元件的振荡频率特性改变。压电元件的应力分布也会随着导电粘合剂6的老化而变化,导致振荡频率特性变化。

发明内容

由于上述传统问题,本发明致力于提供一种晶体单元和振荡器,该振荡器具有使得压电元件的电极即使在导电粘合剂的滴落量或者滴落位置发生变化时也能在固定位置以固定的面积接触导电粘合剂的结构。

本发明还致力于提供一种制造所述晶体单元的方法。

根据本发明实施方式,一种压电晶体单元包括封装、压电元件和导电粘合剂。该封装包括凹陷部分。该压电元件具有突出的电极并被设置在封装内部。该导电粘合剂包含在所述凹陷部分中。所述压电元件被固定至所述封装,所述突出电极被嵌入在所述封装的所述凹陷部分中。

附图说明

图1是振荡器封装的内部的平面图,示出了封装的被覆盖了从配送器逐滴提供的导电粘合剂的两个内部电极;

图2A和图2B示出了制造根据本发明实施方式的压电晶体单元的工艺的步骤;

图3A和图3B示出了制造压电晶体单元的工艺的另一步骤;

图4A和图4B示出了制造压电晶体单元的工艺的另一步骤;

图5A和图5B示出了制造压电晶体单元的工艺的另一步骤;

图6A和图6B示出制造压电晶体单元的工艺的另一步骤;

图7是根据本实施方式的陶瓷封装的组件的立体图;

图8A是晶体板的立体图,其示出了制造晶体振荡元件的工艺的步骤;

图8B是已经接地的晶体板的立体图,其示出了制造晶体振荡元件的工艺的另一步骤;

图8C是其上形成了电极的晶体板的立体图,其示出了制造晶体振荡元件的工艺的另一步骤;

图9是具有内部线路的陶瓷封装的截面图;

图10示出了利用激光控制凹陷部分中的导电粘合剂的量的方法;

图11A和图11B示出了根据本发明另一实施方式的包括IC的晶体振荡器;

图12A和图12B示出了根据本发明另一实施方式的包括IC的晶体振荡器;

图13A和图13B示出了图11A和图11B的晶体振荡器的变化;以及

图14示出了根据本发明实施方式的晶体振荡器的各种应用。

具体实施方式

下文将参照附图来说明制造根据本发明实施方式的压电晶体单元的工艺。

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