[发明专利]叠层有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种叠层有机发光二极管，其特征在于，包括：

阳极，阴极；

至少两个置于所述阳极与阴极之间的发光层；

置于相邻发光层之间的电荷产生层，所述电荷产生层为n型有机半导体和p型有机半导体形成的异质结，所述p型有机半导体为噻吩类化合物，所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于6eV，所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级与所述n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差小于1eV。

2.根据权利要求1所述的叠层有机发光二极管，其特征在于，所述p型有机半导体为5，5′-二(2-萘基)-2，2′-联噻吩(NaT2)；5，5″-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″-三联噻吩(NaT3)；5，5″′-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四联噻吩(NaT4)；5，5″″-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″-五联噻吩(NaT5)；5，5″″′-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″：5″″，2″″′-六联噻吩(NaT6)；5，5′-二(2-苯并噻吩基)-2，2′-联噻吩(TNT2)；5，5″-二(2-苯并噻吩基)-2，2′：5′，2″-三联噻吩(TNT3)；5，5″′-二(2-苯并噻吩基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四联噻吩(TNT4)；5，5″″-二(2-苯并噻吩基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″-五联噻吩(TNT5)或2，5-顺-(4-2苯基)-2噻吩。

3.根据权利要求1所述的叠层有机发光二极管，其特征在于，所述发光层为依次连接的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

4.根据权利要求1所述的叠层有机发光二极管，其特征在于，所述n型有机半导体为C₆₀、C₆₀衍生物或苝衍生物。

5.根据权利要求1所述的叠层有机发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层为MoO₃、V₂O₅、WO₃、MoO₃掺杂NPB、V₂O₅掺杂NPB或WO掺杂NPB。

6.根据权利要求1所述的叠层有机发光二极管，其特征在于，所述发光层的厚度为30～40纳米。

7.根据权利要求1所述的叠层有机发光二极管，其特征在于，所述n型有机半导体的厚度为5～20纳米，所述p型有机半导体的厚度为5～20纳米。

8.一种权利要求1～7任意一项所述的叠层有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在阳极和阴极之间蒸镀至少两个发光层；

在相邻发光层之间蒸镀电荷产生层，所述电荷产生层为n型有机半导体和p型有机半导体形成的异质结，所述p型有机半导体为噻吩类化合物，所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于6eV，所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级与所述n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差小于1eV。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述n型有机半导体的蒸镀速率为0.05～0.2纳米/秒，所述p型有机半导体的蒸镀速率为0.05～0.2nm/s。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述n型有机半导体的厚度为5～20纳米，所述p型有机半导体的厚度为5～20纳米。