[发明专利]一种高去除低划伤的硅片化学机械抛光组合物及制备方法

权利要求书

1.一种用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，该抛光组合物的主体组成成分为胶体二氧化硅颗粒、有机碱，功能助剂为有机硅类稳定剂、有机硅类分散剂、有机酸螯合剂和润湿剂；

该抛光组合物中各组分按重量百分比如下：

胶体二氧化硅颗粒：0.5～10wt％；

有机碱：0.01～5wt％；

有机硅分散剂：0.001～1.0wt％；

有机硅稳定剂：0.001～2.0wt％；

有机酸鳌合剂：0.001～2.0wt％；

润湿剂：0.001～2.0wt％；

其余为去离子水；

所述有机硅类分散剂化学特征如下所示：

R₁R₂R₃Si(R₄)_nY

在此化学式中，R₁、R₂和R₃为疏水性取代基，Y为离子性亲水性官能团；其中，R₁、R₂和R₃分别独立的表示甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、硅氧烷基，R₄表示亚烷基，n为1～4之间的整数，Y表示羧酸根、碳酸根、胺基、铵基、磺酸根、膦酸根。

所述有机硅类稳定剂化学特征如下所示：

Y′(CH₂)_mSiX₁X₂X₃

在此化学式中，m为≥0的整数；X₁、X₂和X₃为可水解的基团，Y′表示有机官能团；其中，X₁、X₂和X₃分别独立的表示氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、乙酰氧基、酮肟基；Y′表示羟基、乙烯基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基。

2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于：所述亚烷基为具备1～4个碳原子的低级亚烷基。

3.根据权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于：R₁、R₂和R₃表示三个相同的取代基或表示不同取代基。

4.根据权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于：所述有机硅类分散剂为羧丙基三乙基硅烷((C₂H₅)₃Si(CH₂)₂COOH)，羧丙基三甲基硅烷((CH₃)₃Si(CH₂)₂COOH)，羧丁基三乙基硅烷((C₂H₅)₃Si(CH₂)₂COOH)，丙磺酸基三甲基硅烷[(CH₃)₃Si(CH₂)₃OSO₃H]，异丁磺酸基甲基二硅氧烷基硅烷{[(CH₃)₃SiO]₂Si(CH₃)(CH₂)₃OSO₃H}，氨丙基三乙基硅烷[(C₂H₅)₃Si(CH₂)₃NH₂]中的任意一种或它们的组合。