[发明专利]一种多晶硅晶体生长炉热场结构无效

专利信息
申请号: 201110002707.2 申请日: 2011-01-07
公开(公告)号: CN102021646A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 葛江文;张帆;管宇骎;张元成;徐寒;管文礼 申请(专利权)人: 管文礼
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/06
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 刘喜莲
地址: 222000 江苏省连云港*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 晶体生长 炉热场 结构
【权利要求书】:

1.一种多晶硅晶体生长炉热场结构,它包括由上保热屏、侧保温屏和保温底板构成的固定保温屏,在固定保温屏内设有长晶器、坩埚和加热器;其特征在于:在保温底板的下部设有热门,在热门下部连接设有热交换器,热门上还连接设有热门开启装置。

2.根据权利要求1所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热门由若干块门体对称设置,每块门体均与热门开启装置连接。

3.根据权利要求2所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热门由4块门体呈中心对称设在保温底板的下部。

4.根据权利要求2所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热门由2块门体呈左右对称设在保温底板的下部。

5.根据权利要求4所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热门开启装置包括连接在一块门体上的电动推杆,电动推杆通过连动装置与另一块门体连接。

6.根据权利要求1所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热交换器的周围设有保温层,在热交换器内部设有冷却水管道,在热交换器上还设有与冷却水管道连通的进水管和出水管。

7.根据权利要求1所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的加热器设在坩埚的四周,或者设在坩埚的四周及顶部。

8.根据权利要求1-4、6-7任何一项所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热门开启装置包括电机,电机通过传动机构与转轴连接,转轴上连接设有曲柄和导轨,导轨上设有连杆销,曲柄与连杆连接,连杆与热门分别连接在连杆销上。

9.根据权利要求1-4、6-7任何一项所述的多晶硅晶体生长炉热场结构,其特征在于:所述的热门开启装置为连接在热门上的电动推杆。

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