[发明专利]半导体工艺中的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺中的清洗方法，且特别是涉及一种改善静电堆积的半导体工艺中的清洗方法。

背景技术

半导体工艺中所产生的静电以及工艺所产生的污染物粒子及金属污染物不但会吸附于半导体晶片表面造成污染，而且更会引发电荷大量累积，破坏元件图案使其变形，甚至有因快速放电而点燃有机溶液引起火花或爆炸的危险。因此，半导体的每一个工艺，通常都需要清洗步骤，晶片经过清洗后可去除因工艺所产生的粒子及金属的污染物，进而使完成的集成电路良率提高。

然而，传统以清水冲洗的清洗方式，对于先进工艺的晶片表面冲击过大，容易造成元件图案的损坏。因此必须改采用水雾来清洗晶片表面。图1为根据已知的半导体晶片工艺步骤所绘示的水雾清洗步骤的示意图。已知的水雾清洗方法主要是利用喷嘴102混合氮气喷出水雾104来清洗半导体表面106。

然而，在与晶片半导体表面106接触瞬间，喷出的水雾104易引发先前工艺中累积的电荷108产生类似火山爆发的静电荷喷发现象，造成半导体晶片上集成电路图案的损伤和变形。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种半导体工艺中的清洗方法，其改善了静电堆积的问题。

本发明提出一种半导体工艺中的清洗方法，此清洗方法包括下述步骤：首先提供半导体基板。提供水雾持续第一期间以对半导体基板进行清洗。同时于第一期间的起始点或起始点之前，在基板上形成水膜，并维持此水膜，时间长度持续约第二期间，并且使第二期间与第一期间至少部分重叠，用来缓冲水雾所带来的影响。

在本发明的实施例中，上述半导体基板可为晶片。

在本发明的实施例中，上述半导体基板可为旋转式半导体基板，此旋转式半导体基板的转速可为2000～30rpm。

在本发明的实施例中，清洗半导体基板的途径可为自距离半导体基板中心15毫米(mm)处开始，在半导体基板中心与距离半导体基板边缘3毫米处(mm)之间来回清洗。

在本发明的实施例中，上述水雾由氮气源雾化第一去离子水形成。

在本发明的实施例中，上述氮气源的流量可为5～100公升/分(l/min)。

在本发明的实施例中，上述形成水雾的第一去离子水流量可为10～300毫升/分(ml/min)。

在本发明的实施例中，上述水膜可由第二去离子水覆盖于半导体基板所形成。

在本发明的实施例中，上述水膜中还包括低电阻气体溶于水膜之中。

在本发明的实施例中，上述低电阻气体可为二氧化碳。

在本发明的实施例中，上述形成水膜的第二去离子水流量可为1500毫升/分(ml/min)。

在本发明的实施例中，上述形成该水膜的第二去离子水流量可随时间递减。

在本发明的实施例中，上述形成水膜的第二去离子水流量大于形成水雾的第一去离子水流量。

在本发明的实施例中，上述水雾的喷出点和水膜的喷出点之间距离小于3厘米。

在本发明的实施例中，上述第二期间可为20微秒(μsecond)～200秒。

在本发明的实施例中，上述第二期间实质小于第一期间。

在本发明的实施例中，上述第二期间与第一期间同步。

在本发明的实施例中，上述第一期间之前还包括进行化学清洗过程。

本发明提出的半导体工艺中的清洗方法，是于第一期间喷出水雾来清洗半导体基板，同时于此第一期间起始点或之前，在半导体上形成水膜，并维持此水膜，时间长度持续约第二期间，并且使第二期间与第一期间至少部分重叠，用来缓冲水雾所带来的影响，进而避免半导体表面出现静电爆炸现象，降低对半导体晶片上图案的损伤。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1根据已知的半导体晶片在工艺步骤，绘示进行水雾清洗步骤的清洗方法示意图。

图2根据本发明的实施例绘示半导体工艺的清洗方法示意图。

附图标记说明

102、202：水雾喷嘴                104、208：水雾

106、206：半导体基板              108、212：静电荷

204：流体喷嘴                     210：水膜

具体实施方式