[发明专利]表面发射激光器元件、阵列、光学扫描装置和成像设备无效

专利信息
申请号: 201110003470.X 申请日: 2011-01-10
公开(公告)号: CN102122793A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 轴谷直人;原坂和宏;菅原悟;佐藤俊一 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: H01S5/18 分类号: H01S5/18;H01S5/42;G02B26/10;G03G15/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 表面 发射 激光器 元件 阵列 光学 扫描 装置 成像 设备
【权利要求书】:

1.一种表面发射激光器元件,包括:

发射区域,该发射区域被构造成发射激光束;以及

高反射率区域,该高反射率区域包括具有第一折射率的第一电介质膜和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二电介质膜,所述第一电介质膜和第二电介质膜叠置在所述发射区域内,以提供高反射率;

其中,所述高反射率区域形成在包括发射区域的中心部分的区域内,并且被构造成在平行于发射区域的平面内的两个正交方向上具有形状各向异性。

2.如权利要求1所述的表面发射激光器元件,其中:具有第一折射率的第一电介质膜和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二电介质膜各自具有λ/4的奇数倍的光学厚度。

3.如权利要求2所述的表面发射激光器元件,其中:第一折射率高于第二折射率,且在高反射率区域中具有第一折射率的第一电介质膜叠置在具有第二折射率的第二电介质膜上。

4.如权利要求1所述的表面发射激光器元件,还包括:

在发射区域中的至少一个低反射率区域,

其中,所述至少一个低反射率区域的反射率通过在其中形成第二电介质膜而降低。

5.如权利要求4所述的表面发射激光器元件,其中:所述至少一个低反射率区域形成为围绕所述高反射率区域。

6.如权利要求4所述的表面发射激光器元件,其中:在所述至少一个低反射率区域包括第一低反射率区域和第二低反射率区域的情况下,所述第一和第二低反射率区域相邻布置,并且所述高反射率区域的一部分位于所述第一和第二低反射率区域之间。

7.如权利要求6所述的表面发射激光器元件,其中:所述高反射率区域形成为使得高反射率区域被夹在所述第一和第二低反射率区域之间。

8.如权利要求4所述的表面发射激光器元件,其中:形成在所述低反射率区域中的第二电介质膜的光学厚度是λ/4的奇数倍。

9.如权利要求1所述的表面发射激光器元件,还包括:

电极,该电极被构造成至少局部与接触层形成接触,以形成电流注入区域,所述电流注入区域被布置成围绕所述发射区域,

其中:与接触层相接触的所述电流注入区域在平行于发射区域的平面内的两个正交方向上包括不同的宽度。

10.如权利要求1所述的表面发射激光器元件,还包括:

电极,该电极被构造成至少局部与接触层形成接触,以形成电流注入区域,所述电流注入区域被布置成围绕所述发射区域,

其中:与接触层相接触的所述电流注入区域在平行于发射区域的平面内的两个正交方向的其中一个方向上包括去除区域。

11.如权利要求7所述的表面发射激光器元件,还包括:

电极,该电极被构造成至少局部与接触层形成接触,以形成电流注入区域,所述电流注入区域被布置成围绕所述发射区域,

其中:与接触层相接触的所述电流注入区域在平行于发射区域的平面内的两个正交方向的其中一个方向上包括去除区域;且

形成所述去除区域的所述两个正交方向的所述其中一个方向对应于所述高反射率区域将所述至少一个低反射率区域分割成第一和第二低反射率区域的方向。

12.如权利要求9所述的表面发射激光器元件,其中:形成在电流注入区域之外的区域上的接触层被去除。

13.如权利要求1所述的表面发射激光器元件,其中:所述发射区域的整个表面被覆盖有电介质膜,使得在所述发射区域中半导体不暴露。

14.一种表面发射激光器阵列,包括其中集成的多个如权利要求1所述的表面发射激光器元件。

15.一种光学扫描装置,该光学扫描装置用光线对扫描表面进行光学扫描,所述光学扫描装置包括:

光源,该光源包括如权利要求1所述的表面发射激光器元件;

偏转器,该偏转器被构造成偏转从光源发射的光线;以及

扫描光学系统,该扫描光学系统被构造成将偏转器所偏转的光线会聚到所述扫描表面上。

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