[发明专利]阳栅同基板的三极结构场致发射显示器

权利要求书

1.一种阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：包括相互平行设置且大小相适应的阳栅基板和阴极基板，所述阳栅基板上间隔并排设有数个带状阳极导电层，所述各阳极导电层上沿其长度方向设有阳极汇流电极，所述阳栅基板上还设有栅极下介质层，所述栅极下介质层由间隔排设的数个纵向组成带和间隔设于各纵向组成带一旁侧或两旁侧的多个横向组成支带形成，所述各纵向组成带与所述阳极导电层相平行且设于所述阳栅基板未被所述阳极导电层覆盖的部分上，所述各纵向组成带上依次覆盖有带状栅极导电层和带状栅极保护介质层，所述各横向组成带覆盖在所述阳极导电层上，所述阳极导电层未被所述横向组成带覆盖的部分上设有荧光体层；

所述阴极基板上间隔并排设有数个带状阴极导电层，所述各阴极导电层上沿其长度方向交替设有数个限流电阻层和阴极保护介质层，所述限流电阻层上设有电子发射体；

所述阳栅基板上的带状阳极导电层和带状栅极导电层均与所述阴极基板上的带状阴极导电层相互垂直；所述阳栅基板和阴极基板之间设有隔离介质层，所述隔离介质层一端与所述栅极保护介质层相连接，另一端与所述阴极保护介质层的一侧部相连接。

2.根据权利要求1所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述阳栅基板与所述阴极基板上下配合设置时，所述阳栅基板上的带状栅极导电层对应的是所述阴极基板上的电子发射体和隔离介质层，所述阳栅基板上的荧光体层对应的是所述阴极基板上阴极保护介质层未被所述隔离介质层覆盖的部分。

3.根据权利要求2所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述栅极保护介质层上设有开孔，开孔处与所述电子发射体所处位置相对应，开孔面积与所述栅极保护介质层面积比的范围为（0～100％）。

4.根据权利要求2所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述栅极保护介质层由含金属氧化物的半导体材料制作而成。

5.根据权利要求1所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述阴极保护介质层的面积大于所述隔离介质层的面积。

6.根据权利要求1所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述栅极下介质层厚度的取值范围为（10～1000）μm，所述栅极保护介质层厚度的取值范围为（0.1～100）μm，所述阴极保护介质层厚度的取值范围为（0.1～100）μm，所述隔离介质层厚度的取值范围为（10～1000）μm，通过调整所述栅极下介质层、栅极保护介质层、阴极保护介质层和隔离介质层的厚度来控制阴极与阳极、阴极与栅极之间的间距。

7.根据权利要求1所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述栅极下介质层的侧壁处也设有荧光体层。

8.根据权利要求1所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述阳极汇流电极的电导率大于所述阳极导电层；所述阴极导电层、限流电阻层、阳极导电层和阳极汇流电极是硅层，或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种金属元素的单层薄膜，或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是具有导电性的Sn、Zn、In的氧化物中一种或多种组合的氧化物半导体薄膜，或者是含有所述银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种或多种组合的导电金属颗粒或所述Sn、Zn、In中的一种或多种组合的导电半导体氧化物中一种或多种组合的印刷浆料所制备的导电层。

9.根据权利要求1所述的阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，其特征在于：所述电子发射体包含零维微纳米材料、一维微纳米材料或二维微纳米材料。