[发明专利]一种高线性度折叠镜像混频器

权利要求书

1.一种高线性度折叠镜像混频器，其特征在于，包括依次连接的射频跨导级、电压混频核心电路和中频输出级；射频跨导级包括：NMOS管M1和M2，PMOS管M3、M4、M5和M6；电压混频核心电路包括：PMOS管M12、M13、M14和M15；

输入射频信号通过电容耦合到输入跨导管M1，M2，转化为射频电流；

M3与M4，和M5，M6一同构成了差分的电流镜；所述射频电流，在M3和M4上形成电压信号，M3、M4、M5、M6同样的沟道长度；

该电压信号经过由M12～M15构成的双平衡开关管，在本振信号为正时，将M3的栅电压输送到M6，将M4的栅电压输送到M5；在本振信号为负时，将M3的栅电压输送到M5，将M4的栅电压输送到M6；这样，M5，M6复制的电流，随着本振频率，在跨导级正端电流和负端电流之间来回切换，形成变频电流，经低通滤波后在中频输出级的负载电阻上形成输出电压。

2.根据权利要求1所述的高线性度折叠镜像混频器，其特征在于：还包括误差放大器A1；

所述射频跨导级还包括：隔离电阻R1和R2；输入管偏置电阻R0和R3；

电压混频核心电路还包括：NMOS管M10和M7；NMOS管M11和M8；电容C2；

中频输出级包括：负载电阻R4和R5；

输入射频正极连到电容C0的上极板，电容C0的下极板与M1管的栅极相连；输入射频负极连到电容C1的上极板，电容C1的下极板与M2管的栅极相连；

M1管的源极接电阻R1的正端，R1的负端接地；M2管的源端接电阻R2的正端，R2的负端接地；

偏置电阻R0的正端接M1的栅极，R3的正端接M2的栅极，R0与R3的负端接偏置电压；

M1的漏端接M3的漏端，M3的漏端与栅极连接，源极接电源；M2的漏极接M4的漏极，M4的漏极与栅极连接，源极接电源；

M12的源极与M13的源极接M4的栅极，M12与M15的栅极接本振信号负极，M13与M14的栅极接本振信号正极；

M12与M14的漏极接M6的栅极，M13与M15的漏极接M5的栅极；

M5和M6的源极接电源电压；

M5的漏极接电阻R4的正端，R4的负端接地；M6的漏极接电阻R5的正端，R5的负端接地；

电容C2并联在M5的漏极与M6的漏极之间；电容C2的两端即为中频输出端VIF+和VIF-；

M10与M7构成共源共栅电流源，并联在R4的两端；由M11与M8构成共源共栅电流源，并联在R5的两端；

M10、M11的栅极接误差放大器A1的输出端；A1的正输入端接采集的输出共模电压，负输入端接参考共模电压；

所述误差放大器A1、M7、M8、M10、M11、VIF+和VIF-构成的环路即为共模反馈电路。