[发明专利]化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法无效
| 申请号： | 201110004658.6 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102593042A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李健;朱旋;许宗能;曾明;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/321;B24B37/04;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 半导体 晶片 清洗 | ||
1.一种化学机械研磨方法，用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，其特征在于，包括：
研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；
向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；
清洗半导体晶片表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制喷水参数，包括：
控制喷水的高度或控制喷水的压力。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述控制喷水的高度为2厘米至5厘米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述金属层为铜层或钨层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述介质层为氧化硅，所述金属插塞为钨插塞。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述向半导体晶片表面喷水，包括：
向半导体晶片表面喷洒去离子水。
7.一种半导体晶片清洗方法，用于在介质层中形成金属插塞之后，清洗半导体晶片，其特征在于，包括：
向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述控制喷水参数，包括：控制喷水的高度或控制喷水的压力。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述控制喷水的高度为2厘米至5厘米。
10.根据权利要求7至9任意一项所述的方法，其特征在于，所述向半导体晶片表面喷水，包括：
向半导体晶片表面喷洒去离子水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
