[发明专利]具有精密涂布的波长转换层的晶圆式发光装置

权利要求书

1.一种晶圆式发光装置，其特征在于，包含：

一衬底；

一或多个发光半导体，形成在所述衬底上；

一或多个框架，配置在所述发光半导体的上方；及

一或多层波长转换层，施加在通过所述一或多个框架所局限的所述发光半导体上，

其中所述晶圆式发光装置被切割成多个分离的个别发光单元。

2.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述框架能够延伸涵盖所述发光半导体的侧边部位。

3.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述发光单元能够发射具有约200nm至约500nm的峰值波长范围的光。

4.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述波长转换层通过下列至少其中一种方法来施加：精密配送法、精密压印法、精密喷注法、以及网印法。

5.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述波长转换层包含与一或多种有机化学品混合的荧光体颗粒。

6.如权利要求5所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述荧光体颗粒比上所述有机化学品的重量比为0.6～8。

7.如权利要求5所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述有机化学品为硅酮树脂及/或环氧树脂。

8.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述波长转换层包含与玻璃混合的荧光体颗粒。

9.如权利要求8所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述荧光体颗粒比上所述玻璃的重量比为0.6～8。

10.如权利要求8所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述与玻璃混合的波长转换层是通过下列至少其中一种方法来施加：精密配送法、精密压印法、精密喷注法、以及网印法。

11.如权利要求10所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述与玻璃混合的波长转换层是在具有100℃至约500℃的范围的温度下被施加。

12.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述波长转换层具有凸面、凹面、平面、或角锥的形状。

13.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述框架由一透明材料所制成。

14.如权利要求13所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述透明材料为环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂、玻璃、石英、压克力树脂、聚碳酸酯树脂、SU-8光阻、BCB光阻、或聚对二甲苯树脂。

15.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述框架通过下列至少其中一种方法来配置：旋转涂布、浸渍涂布、化学气相沉积、热蒸镀、以及电子束蒸镀。

16.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述框架为单一金属层或多重金属层。

17.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述框架具有0.1微米至200微米的厚度。

18.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述波长转换层具有1微米至200微米的厚度。

19.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，更包含：

一光扩散层，配置在所述波长转换层上。

20.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述衬底为不透光。

21.如权利要求20所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述衬底为金属、陶瓷、或半导体。

22.如权利要求21所述的晶圆式发光装置，其特征在于，更包含：

一反射层，位于所述衬底与所述发光半导体之间。

23.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，与所述波长转换层相邻接的所述发光半导体的表面被粗糙化。

24.如权利要求1所述的晶圆式发光装置，其特征在于，对所述波长转换层进行热处理。

25.如权利要求24所述的晶圆式发光装置，其特征在于，所述热处理的温度介于60℃与300℃之间。