[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

在现有技术中，发光二极管封装结构一般需要打金线以将发光二极管晶粒的电极与基板的焊垫电连接，发光二极管晶粒的出光一侧需要设置相应的厚金属电极及焊球以与金线连接。然而，焊球及厚金属电极会遮挡光线，从而降低发光二极管晶粒及整个发光二极管封装结构的出光效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光效率较高的发光二极管晶粒。

一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，绝缘衬底的第二表面形成导电层，绝缘衬底内形成至少一导电柱，该至少一导电柱贯通半导体发光结构的绝缘衬底，该至少一导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。

上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。

一种发光二极管封装结构，包括基座、发光二极管晶粒及封装体，发光二极管晶粒固定于基座上，封装体包覆该发光二极管晶粒，发光二极管晶粒包括半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，绝缘衬底的第二表面形成导电层，绝缘衬底内形成至少一导电柱，该至少一导电柱贯通半导体发光结构的绝缘衬底，该至少一导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。

一种发光二极管晶粒制造方法，其包括以下步骤：提供半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，于该绝缘衬底的第二表面开设至少一孔，该至少一孔贯通至N型三族氮化物半导体层；于绝缘衬底的第二表面设置金属材料以形成导电层，于该至少一孔内设置金属材料以形成导电柱，该导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明一较佳实施方式中的发光二极管封装结构的剖面示意图。

图2为本发明的一较佳实施方式中半导体发光结构的绝缘衬底形成孔后的剖面示意图。

图3为图2中半导体发光结构形成导电层和导电柱后的剖面示意图。

图4为图3中半导体发光结构固定在基板后的剖面示意图。

图5为图4中形成绝缘层后的剖面示意图。

图6为图5中形成第一窗口和第二窗口后的剖面示意图。

图7为图6中形成透明导电层后的剖面示意图。

图8为本发明另一较佳实施方式中的发光二极管封装结构的剖面示意图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构    10、20

基座                  11

第一焊垫              111

第二焊垫              112

发光二极管晶粒        12、22

封装体                13、23

基板                  14、24

第一导电区            141

第二导电区            142

绝缘材料              143

半导体发光结构        15、25

绝缘衬底              151

N型三族氮化物半导体层 153

有源层                154

P型三族氮化物半导体层 157

绝缘层                16、26

第一窗口              161

第二窗口              162

透明导电层            17、27

第一覆盖部            171

连接部                172