[发明专利]晶片级堆叠裸片封装

权利要求书

1.一种集成电路(IC)封装，其包括：

半导体衬底；

制造于所述半导体衬底中的第一离散组件；

制造于所述半导体衬底中的第二离散组件，其中所述第一离散组件邻近于所述第二离散组件；以及

安装于所述半导体衬底上且耦合到所述第一离散组件和所述第二离散组件的集成电路(IC)裸片。

2.根据权利要求1所述的IC封装，其中所述半导体衬底包含硅晶片。

3.根据权利要求1和权利要求2中任一权利要求所述的IC封装，其中所述半导体衬底包含包括所述第一和第二离散组件的有源侧和与所述有源侧对置的无源侧，其中所述IC裸片安装到所述半导体衬底的所述无源侧。

4.根据权利要求3所述的IC封装，其中所述设备包含多个穿衬底通孔，其中第一穿衬底通孔耦合到所述第一离散组件，且第二穿衬底通孔耦合到所述第二离散组件；以及

位于所述半导体衬底的所述无源侧上的经图案化导电层，所述经图案化导电层耦合到所述第一和第二穿衬底通孔，其中所述IC裸片通过所述经图案化导电层耦合到所述第一穿衬底通孔和所述第二穿衬底通孔。

5.根据权利要求4所述的IC封装，其包括位于所述半导体衬底的所述有源侧上的用于耦合到外部互连衬底的多个导电区，其中至少一个穿衬底通孔将所述IC裸片耦合到至少一个导电区。

6.根据权利要求4所述的IC封装，其中所述第一离散组件包含第一晶体管，所述第二离散组件包含第二晶体管，且所述IC裸片包含用于控制所述第一和第二晶体管的操作使得所述设备作为功率转换器而操作的控制器。

7.根据权利要求5所述的IC封装，其中所述第一晶体管包含高侧金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，且第二晶体管包含低侧MOSFET，其中至少一个穿衬底通孔将所述高侧MOSFET的源极耦合到所述低侧MOSFET的漏极。

8.根据权利要求1所述的IC封装，其包括位于所述半导体衬底中在所述第一离散组件与所述第二离散组件之间的隔离间隙。

9.根据权利要求8所述的IC封装，其中所述隔离间隙包含蚀刻于所述半导体衬底中的凹槽，绝缘物沉积于所述凹槽中。

10.根据权利要求1所述的IC封装，其中所述IC裸片以倒装芯片方式安装到所述半导体衬底。

11.根据权利要求1所述的IC封装，其包括安置于所述IC裸片和所述半导体衬底的所述无源侧的至少一部分上的电绝缘材料。

12.一种制作集成电路(IC)封装的方法，其包括：

在半导体衬底中制造第一和第二离散组件，其中所述第一离散组件邻近于所述第二离散组件；

将集成电路(IC)裸片安装于所述半导体衬底的第一侧上，其中所述IC裸片耦合到所述第一和第二离散组件；以及

使电绝缘材料固化于所述IC裸片和所述半导体衬底的所述第一表面的至少一部分上。

13.根据权利要求12所述的方法，其包括：

在所述半导体衬底中制造多个穿衬底通孔，其中第一穿衬底通孔耦合到所述第一离散组件，第二穿衬底通孔耦合到所述第二离散组件，且第三衬底通孔耦合到所述IC裸片。

14.根据权利要求13所述的方法，其包括：

在半导体衬底的所述第一侧上沉积经图案化导电层，所述经图案化导电层耦合到所述多个穿衬底通孔中的至少一者；

其中所述制造所述第一和第二离散组件包含在所述半导体衬底的第二侧上制造所述第一和第二离散组件；且

其中所述安装所述IC裸片包含将所述IC裸片耦合到所述经图案化导电层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述沉积所述经图案化导电层包含将耦合到所述第一离散组件的所述第一穿衬底通孔耦合到所述IC裸片和将耦合到所述第二离散组件的所述第二穿衬底通孔耦合到所述IC裸片。

16.根据权利要求15所述的方法，其包括：

在所述半导体衬底的所述第二侧上形成用于耦合到外部电路的多个导电区。