[发明专利]532nm半高斯激光束发生器

权利要求书

1.532nm半高斯激光束发生器，其特征是包括泵浦光源、准直系统、柱透镜、一片侧向调制的周期性极化的光学超晶格、控温炉、对1064nm激光的滤波系统；周期性极化的光学超晶格材料为LiTaO₃，周期为7.505μm，用以实现1064nm激光频率转换为532nm激光，所述超晶格的极化畴边缘在晶体的通光方向分布为e指数型；泵浦光源发出的1064nm的高斯激光入射到准直系统、经柱透镜聚焦到光学超晶格中，并且超晶格的畴边缘通过入射的泵浦光源的高斯激光束的中心；在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反镜以及干涉滤波片构建的滤波系统滤掉出射光束中的1064nm泵浦光，得到纯净的532nm半高斯激光。

2.根据权利要求1所述的532nm半高斯激光束发生器，其特征是泵浦光源出射激光模式是TEM₀₀模，光强分布为高斯型。

3.根据权利要求1所述的532nm半高斯激光束发生器，其特征是准直系统，将泵浦光束准直为平行光束，且设置为不同的放大率，将泵浦光束扩束或者缩束到所需要的光束大小。

4.根据权利要求1所述的532nm半高斯激光束发生器，其特征是泵浦光源是连续的或脉冲的，出光亦为相应的连续的、脉冲的半高斯激光束。

5.根据权利要求1所述的532nm半高斯激光束发生器，其特征是光学超晶格的极化畴可以为准周期、双周期和非周期，从而将该发生器拓展到多种不同的非线性光学过程。因此可以得到不同波长的半高斯激光束的输出。

6.根据权利要求1所述的532nm半高斯激光束发生器，其特征是光学超晶格的基质材料包括同成分LiTaO₃、同成分LiNbO₃、化学计量比LiTaO₃、化学计量比LiNbO₃、掺MgO的LiNbO₃或掺MgO的LiTaO₃。