[发明专利]含有聚硅氮烷的涂布组合物有效
申请号: | 201110006067.2 | 申请日: | 2011-01-06 |
公开(公告)号: | CN102153951A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 林昌伸 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(日本)株式会社 |
主分类号: | C09D183/16 | 分类号: | C09D183/16;B05D7/24;B05D3/02;C01B33/113;H01L21/312;H01L21/316 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 聚硅氮烷 组合 | ||
1.一种涂布组合物,该涂布组合物含有全氢聚硅氮烷和溶剂,其特征在于:前述全氢聚硅氮烷的分子量分布曲线分别在分子量800~2,500的范围和分子量3,000~8,000的范围内具有极大值,重均分子量Mw和数均分子量Mn的比Mw/Mn是6~12。
2.根据权利要求1所记载的涂布组合物,其中全氢聚硅氮烷的含有率以涂布组合物的全部重量为基准,是10~25重量%。
3.根据权利要求1或2所记载的涂布组合物,其中前述全氢聚硅氮烷是重均分子量为800~2,500的低分子量聚硅氮烷和重均分子量为3,000~8,000的高分子量聚硅氮烷的混合物。
4.根据权利要求3所记载的涂布组合物,其中前述低分子量聚硅氮烷和高分子量聚硅氮烷的重量比是3∶7~6∶4。
5.一种硅质膜的形成方法,特征在于,包括:
在具有凹凸的基板表面上涂布一种涂布组合物的涂布工序,该涂布组合物含有全氢聚硅氮烷和溶剂,且前述全氢聚硅氮烷的分子量分布曲线分别在分子量800~2,500的范围和分子量3,000~8,000的范围内具有极大值,重均分子量Mw和数均分子量Mn的比Mw/Mn是6~12;
以及将涂布后的基板在小于1000℃的氧气氛或包含水蒸气的氧化气氛中进行加热处理,将前述组合物转变为二氧化硅膜的固化工序。
6.根据权利要求5所记载的硅质膜的形成方法,该方法进一步包含在涂布工序和固化工序之间,将涂布后的基板在50℃~400℃加热10秒钟~30分钟的预烘焙工序。
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