[发明专利]射频识别标签

说明书

技术领域

本发明涉及一种适于环境辨别个体物件的RFID(射频识别)标签，其能够附着到包括金属物件的各种电介质物件上。

背景技术

由于高效的信息传输能力，UHF(超高频)带的RFID系统是所谓的优于HF(高频)带的RFID系统的突出的信息辨别技术。

UHF带的RFID系统由存储与物件相关的信息的RFID标签和用于辨别RFID标签的读取器组成。标签和读取器各使用一个天线，并经由电波介质收发指定的信息。特别地，被动类型的标签由天线和标签芯片组成，无电池，并且能够以便宜的价格使用。

UHF带的被动类型标签主要确定整个RFID系统的物件辨别特征，并且标签的性能尤其取决于标签天线和标签芯片、标签的辐射方向图以及标签芯片特性的复共轭匹配。

基于这种能力所开发的标签可包括：具有860～960MHz的工作频率的标签，以便在世界范围的标准内可用；对于各种介电常数的物件拥有良好的辨别特性的标签；以及特殊类型标签，其可设计成用于金属物件中。

然而，一般开发的标签是为了在使用环境中的广泛可用性，因此需要进一步开发通过调整标签的辐射特性而具有改善的辨别区域的标签。

发明内容

因此，由本发明所要解决的挑战是使用T匹配结构实现与标签芯片的复共轭匹配，并且提供一种通过调整标签天线的线宽而同时具有宽区域辐射束宽度和高多样性的RFID标签。

另外，由于宽辐射束宽度和高多样性，本发明提供了一种使用读取器能够在标签辨别环境中获得宽辨别区域和长距离的辨别特性的RFID标签。

在本公开的一个总方案中，RFID标签包括：第一电介质衬底；印刷在第一电介质衬底的上表面上的辐射方向图；十字(+)型槽，其以辐射方向图的中心为基础朝着上部、下部、左侧和右侧形成以将左侧辐射方向图和右侧辐射方向图划分开；多个第一连接图，其形成在十字(+)型槽的上部的内侧，以将左侧辐射方向图和右侧辐射方向图相连接；标签芯片，其放置在十字(+)型槽的下部的内侧；馈电回路图，其电性地连接标签芯片和左侧辐射方向图、以及右侧辐射方向图；以及多个第二连接图，其在馈电回路图的端部处连接左侧辐射方向图和右侧辐射方向图。

在一些示例性实施例中，在第一电介质衬底的下部堆叠有带隙材料。

在一些示例性实施例中，带隙材料包括第二电介质衬底和附加金属层，附加金属层以预定间隔形成在第二电介质衬底的上表面左/右两侧。

在一些示例性实施例中，馈电回路图包括：第一馈电回路图，其水平地形成在标签芯片的左/右两侧；第二馈电回路图，其在第一馈电回路图的端部处向上弯曲；以及第三馈电回路图，其在第二馈电回路图的上侧端部处水平地弯曲，并且电性地连接到置于十字(+)型槽的左/右侧的两端部的辐射方向图上。

在一些示例性实施例中，多个第二连接图将第三馈电回路图连接到辐射方向图上。

在本公开的另一个总方案中，RFID标签包括：第一电介质衬底；印刷在第一电介质衬底的上表面上的辐射方向图；T型槽，其以辐射方向图的中心为基础朝着下部、辐射方向图中的左侧和右侧形成；标签芯片，其放置在T型槽的下部的内侧；馈电回路图，其电性地连接标签芯片和辐射方向图；以及多个第二连接图，其在馈电回路图的端部处连接辐射方向图。

在一些示例性实施例中，在第一电介质衬底的下部堆叠有带隙材料。

在一些示例性实施例中，带隙材料包括第二电介质衬底和附加金属层，附加金属层以预定间隔形成在第二电介质衬底的上表面左/右两侧。

在一些示例性实施例中，馈电回路图包括：第一馈电回路图，其水平地形成在标签芯片的左/右两侧；第二馈电回路图，其在第一馈电回路图的端部处向上弯曲；以及第三馈电回路图，其在第二馈电回路图的上侧端部处水平地弯曲，并且电性地连接到置于T型槽的左/右侧的两端部处的辐射方向图上。

在一些示例性实施例中，多个第二连接图将第三馈电回路图连接到辐射方向图上。

另外，本发明提供了一种在如下方面具有高适应性的RFID标签：通过宽的天线线路来使得感应至天线的电流不同而改变在物件附着的实际状态中的有效波长。

由本发明实现的技术挑战不限于上述问题，具有本发明的技术领域中的常识的那些人员通过阅读下面的说明也将清楚地理解未阐明的其他技术挑战。

附图说明

在下文中，结合附图，通过不限制本发明的实施例将更加详细地描述本发明，其中一些图中的相同的物体指定了相同的附图标记。

图1为示出本发明的标签的一个优选实施例的结构的平面图；