[发明专利]射频功率放大器过温保护电路

权利要求书

1.射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，包括依次连接的温度检测电路、比较器电路、逻辑控制电路及偏置电路；所述温度检测电路检测射频功率放大器芯片温度后输出给比较器电路，比较器电路输出触发信号给逻辑控制电路，由逻辑控制电路控制偏置电路最终调节射频功率放大器工作电流进而调节自身工作温度实现保护。

2. 根据权利要求1所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于：所述比较器电路中比较器一端输入基准电压，另一端输入温度检测电路输出信号。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，所述比较器电路比较器两输入端均输入温度检测电路输出信号。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路采用二极管，所述二极管负端接地，正端与限流电阻串联后接偏置电压端。

5.根据权利要求1所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于：所述温度检测电路采用多个串联的二极管，所述串联二极管负端接地，串联二极管正端与限流电阻串联后接偏置电压端。

6. 根据权利要求1-5中任意一项所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括一晶体管，该晶体管集电极通过电阻连接偏置电压端，同时集电极作为输出端连接偏置电路；晶体管射极接地，基极通过电阻连接比较器输出端。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，所述逻辑控制电路中晶体管基极还连接一二极管，该二极管负极接晶体管基极，二极管正极通过电阻连接比较器输出端。

8.根据权利要求7所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，所述比较器电路包括输入晶体管T1、T2、T3、T4，晶体管T1和T2集电极分别通过电阻R2、R3连接到偏置电压端，晶体管T1、T2基极分别作为比较器电路输入端In2、输入端In1，晶体管T2集电极作为输出端Out；晶体管T1、T2的发射极均与晶体管T3集电极连接；晶体管T3、T4的发射极接地，晶体管T3基极通过电阻R4连到晶体管T4基极和集电极；晶体管T4基极和集电极连接到一起，电阻R1与二极管D1串接于偏置电压端和晶体管T4集电极之间。

9.根据权利要求8所述的射频功率放大器过温保护电路，其特征在于，所述偏置电路包括晶体管T6及连接于晶体管T6集电极与射极之间的电阻R7，晶体管T6集电极还通过电阻接偏置电压端，射极接射频功率放大器中放大管基极；晶体管T6基极通过电阻连接逻辑控制电路输出端。