[发明专利]制造高分辨率有机薄膜图案的方法无效
申请号: | 201110006544.5 | 申请日: | 2011-01-05 |
公开(公告)号: | CN102169959A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 徐旼撤;李信斗;崔原硕;金珉会 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社;首尔大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/40;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 高分辨率 有机 薄膜 图案 方法 | ||
1.一种形成有机薄膜图案的方法,该方法包括:
在基板上形成第一有机层;
通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分,并将所述第一有机层的剩余部分形成为牺牲层;
在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层;以及
通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层,并将剩余的第二有机层形成为第二有机层图案。
2.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成第一有机层时,所述第一有机层包括氟基聚合物。
3.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在选择性地去除所述第一有机层时,使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射激光。
4.根据权利要求3所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在选择性地去除所述第一有机层时,照射受激准分子激光。
5.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层时,所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成。
6.根据权利要求5所述的形成有机薄膜图案的方法,其中形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光。
7.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层时,所述第二有机层是有机薄膜晶体管的有源层。
8.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层时,所述第二有机层由有机滤色器材料形成。
9.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层时,所述第二有机层利用沉积方法形成。
10.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在剥离所述第二有机层时,所述溶剂是氟基溶剂。
11.一种形成有机薄膜图案的方法,该方法包括:
(a)在基板上形成第一有机层;
(b)通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分,并由所述第一有机层的剩余部分形成牺牲层;
(c)在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层;
(d)通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层,并且由剩余的第二有机层形成第二有机层图案;以及
(e)在形成有所述第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)至(d),以在所述基板的未形成所述第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案。
12.根据权利要求11所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成第一有机层时,所述第一有机层包括氟基聚合物。
13.根据权利要求11所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在选择性地去除所述第一有机层时,使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射激光。
14.根据权利要求13所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在选择性地去除所述第一有机层时,照射受激准分子激光。
15.根据权利要求11所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层时,所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成。
16.根据权利要求15所述的形成有机薄膜图案的方法,其中所述有机发光材料由低分子量的材料形成。
17.根据权利要求15所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色。
18.根据权利要求17所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料和重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料实现全彩色。
19.根据权利要求11所述的形成有机薄膜图案的方法,其中在形成所述第二有机层时,所述第二有机层由滤色器材料形成。
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