[发明专利]用于沉积装置的罐及使用罐的沉积装置

权利要求书

1.一种用于沉积装置的罐，包括：

原材料蒸发所处的主体；

加热所述主体的加热单元；以及

布置在所述主体下方的温度测量单元。

2.根据权利要求1所述的用于沉积装置的罐，其中：

所述温度测量单元包括温度传感器。

3.根据权利要求1所述的用于沉积装置的罐，其中：

所述原材料是金属粉末。

4.根据权利要求1所述的用于沉积装置的罐，进一步包括：

将所述原材料供应到所述主体的源存储器。

5.根据权利要求4所述的用于沉积装置的罐，进一步包括：

第一供应控制单元，其布置在所述主体与所述源存储器之间，用于控制供应到所述主体的所述原材料。

6.根据权利要求5所述的用于沉积装置的罐，其中：

所述第一供应控制单元包括第一阀以及控制所述第一阀的开/关的第一控制单元，所述第一阀布置在连接所述主体与所述源存储器的第一管道中。

7.根据权利要求1所述的用于沉积装置的罐，进一步包括：

温度控制器，其基于由所述温度测量单元测得的温度来控制所述加热单元。

8.一种沉积装置，包括：

沉积室；

将反应气体供应到所述沉积室的罐；以及

将载气供应到所述罐的载气供应器，

其中所述罐包括主体、加热所述主体的加热单元以及布置在所述主体下方的温度测量单元。

9.根据权利要求8所述的沉积装置，其中：

所述温度测量单元包括温度传感器。

10.根据权利要求8所述的沉积装置，其中：

所述罐进一步包括：用于将原材料供应到所述罐的所述主体的源存储器。

11.根据权利要求10所述的沉积装置，其中：

所述原材料是金属粉末。

12.根据权利要求10所述的沉积装置，其中：

所述罐进一步包括：布置在所述主体与所述源存储器之间、用于控制供应到所述主体的所述原材料的第一供应控制单元。

13.根据权利要求12所述的沉积装置，其中：

所述第一供应控制单元包括：第一阀和控制所述第一阀的开/关的第一控制器，所述第一阀布置在将所述罐的所述主体与所述源存储器相连接的第一管道中。

14.根据权利要求8所述的沉积装置，进一步包括：

布置在所述载气供应器与所述罐的所述主体之间的第二供应控制单元，以及布置在所述罐的所述主体与所述沉积室之间的第三供应控制单元。

15.根据权利要求14所述的沉积装置，其中：

所述第二供应控制单元包括第二阀以及控制所述第二阀的开/关的第二控制器，所述第二阀布置在将所述载气供应器与所述罐的所述主体相连接的第二管道中，所述第三供应控制单元包括第三阀以及控制所述第三阀的开/关的第三控制器，所述第三阀布置在将所述罐的所述主体与所述沉积室相连接的第三管道中。

16.根据权利要求14所述的沉积装置，其中：

所述第二供应控制单元位于所述主体的顶部与所述载气供应器之间，所述第三供应控制单元位于所述主体的顶部与所述沉积室之间。

17.根据权利要求14所述的沉积装置，进一步包括：

第四管道以及布置在所述第四管道中的第四供应控制单元，所述第四管道连接所述载气供应器与所述沉积室，布置在所述载气供应器与所述第二供应控制单元之间以及所述沉积室与所述第三供应控制单元之间。

18.根据权利要求17所述的沉积装置，其中：

所述第四供应控制单元包括布置在所述第四管道中的第四阀和控制所述第四阀的开/关的第四控制器。

19.根据权利要求8所述的沉积装置，其中：

所述罐进一步包括：基于由所述温度测量单元测得的温度来控制所述加热单元的温度控制器。

20.根据权利要求8所述的沉积装置，其中：

所述沉积室是用于原子层沉积工艺的原子层沉积室。