[发明专利]一种制造金纳米阵列超微电极的方法有效
| 申请号： | 201110006643.3 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102590302A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 秦瑶;杨金虎;包志豪;彭成信;赵鹏;郭方方 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 纳米 阵列 微电极 方法 | ||
1.一种制造金纳米阵列超微电极的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)表面长有金纳米锥阵列的金微米片的制备：将氯金酸加入BMIM[PF6]离子液体中，待溶解后，加入甲酰胺，用涡旋振荡器充分混合后，将此溶液转入试管中，置于烘箱中，一定时间后取出，冷却，将上层清液倾出，丙酮洗数次后得红色沉淀产物，真空干燥，得到表面长有金纳米锥阵列的金微米片，于保干器中存储；
(2)金纳米锥阵列超微电极的组装制作：将表面长有金纳米锥阵列的金微米片用导电银胶粘接固定在一根直径为30～60微米的金丝尖端的盘状面上，金丝后部与铜丝焊接，然后穿入到拉制好的玻璃毛细管中，铜丝后端伸出玻璃毛细管后端，利用环氧树脂将玻璃毛细管的后端进行封端，金丝伸出玻璃毛细管的前端，并将玻璃毛细管前端熔封，即得到金纳米阵列超微电极。
2.根据权利要求1所述的一种制造金纳米阵列超微电极的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的BMIM[PF6]离子液体中氯金酸的浓度为8～12mmol/L。
3.根据权利要求1所述的一种制造金纳米阵列超微电极的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的BMIM[PF6]离子液体与甲酰胺的体积比为0.9～1.1。
4.根据权利要求1所述的一种制造金纳米阵列超微电极的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的烘箱的设定温度为90～100℃，处理的时间为20～25h。
5.根据权利要求4所述的一种制造金纳米阵列超微电极的方法，其特征在于，所述的烘箱的温度优选95℃，处理的时间优选22h。
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