[发明专利]焊点高度可控的平面栅格阵列封装互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110006829.9 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102593067A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘一波;王磊 | 申请（专利权）人： | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L23/58;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;张军 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高度 可控 平面 栅格 阵列 封装 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种平面栅格阵列封装互连结构，包括：
系统板；
芯片；
无电连接功能的焊盘和具有电连接功能的焊盘，设置在系统板及芯片上，无电连接功能的焊盘之间的焊点包括凸块和焊膏焊料，而具有电连接功能的焊盘之间的焊点则由焊膏的焊料形成。
2.如权利要求1所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，所述无电连接功能的焊盘为一一对应的四个或多于四个的焊盘。
3.如权利要求1所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，所述凸块的成分与焊膏焊料的成分不同。
4.如权利要求1所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，凸块成分为焊料，而包覆在凸块上的焊料和电连接功能焊点的焊料是熔点低于凸块成分的熔点的焊料。
5.如权利要求4所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，包覆在凸块上的焊料和电连接功能焊点的焊料的熔点比凸块成分的熔点低30℃以上。
6.如权利要求4所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，包覆在凸块上的焊料和电连接功能焊点的焊料为Sn3.0Ag0.5Cu，凸块成分为Sb95Bi或者Sn95Pb。
7.如权利要求4所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，包覆在凸块上的焊料和电连接功能焊点的焊料为Sn37Pb，凸块成分为Sn3.0Ag0.5Cu。
8.如权利要求4所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，包覆在凸块上的焊料和电连接功能焊点的焊料为Sn58Bi，凸块成分为Sn37Pb或者Sn3.0Ag0.5Cu。
9.如权利要求1所述的平面栅格阵列封装互连结构，其特征在于，凸块成分为金属。
10.一种平面栅格阵列封装互连结构的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
在系统板与芯片表面设置具有电连接功能的焊盘，并设置无电连接功能的焊盘；
在无电连接功能的焊盘表面设置凸块；
利用印刷模板通过焊膏印刷，使系统板上的焊盘与凸块表面均涂覆有焊膏；
通过贴片工艺，使芯片上的电连接功能焊盘与系统板上对应的电连接功能焊盘上的焊膏接触，并使芯片上的无电连接功能焊盘与系统板上对应的无电连接功能焊盘和凸块上的焊膏接触；
通过回流工艺，使系统板上的无电连接功能焊盘上的凸块与焊膏中的焊料形成冶金结合。
11.如权利要求10所述的平面栅格阵列封装互连结构的制造方法，其特征在于，所述无电连接功能的焊盘为四个或多于四个的互相对应的焊盘。
12.如权利要求10所述的平面栅格阵列封装互连结构的制造方法，其特征在于，凸块的高度等于或低于印刷模板的厚度。
13.如权利要求10所述的平面栅格阵列封装互连结构的制造方法，其特征在于，所述凸块通过焊膏印刷及回流工艺在系统板上的无电连接功能的焊盘上预先制成。
14.如权利要求10所述的平面栅格阵列封装互连结构的制造方法，其特征在于，所述凸块由电镀工艺在系统板上的无电连接功能的焊盘上预先制成。
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