[发明专利]源极驱动器的伽玛参考电压输出电路

权利要求书

1.一种源极驱动器的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，该电路包括：

参考电压产生单元，配置以通过使用串联的电阻分割电源电压，并产生多个伽玛参考电压；

伽玛缓冲器单元，具有多个伽玛缓冲器，所述伽玛缓冲器通过内置转换操作选择性地输出多个伽玛电压产生单元所需的伽玛参考电压；以及

所述多个伽玛电压产生单元，配置以通过使用串联的电阻，与一所需模式相符地分割自所述伽玛缓冲单元输入的所述伽玛参考电压，并输出分割的伽玛电压。

2.如权利要求1所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述多个伽玛电压产生单元包括配置以产生一扭曲向列(TN)模式运行所需的伽玛电压的伽玛电压产生单元、以及配置以产生一平面转换(IPS)模式运行所需的伽玛电压的伽玛电压产生单元。

3.如权利要求1所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述伽玛缓冲器包括：

IPS伽玛参考电压输出部分，由第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管构成，并配置以输出一IPS模式的伽玛参考电压；

TN伽玛参考电压输出部分，由第三金属氧化物半导体晶体管和第四金属氧化物半导体晶体管构成，并配置以输出一TN模式的伽玛参考电压；

第一至第四开关，配置以选择和运行所述IPS伽玛参考电压输出部分；以及

第五至第八开关，配置以选择和运行所述TN伽玛参考电压输出部分。

4.如权利要求3所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述IPS伽玛参考电压输出部分包括：

所述第一金属氧化物半导体晶体管，具有源极端，所述源极端连接至第一电源端；漏极端，所述漏极端连接至所述伽玛参考电压的输出端；以及栅极端，所述栅极端连接至一加法级的第一输出端；以及

所述第二金属氧化物半导体晶体管，具有源极端，所述源极端连接至第二电源端；漏极端，所述漏极端连接至所述伽玛参考电压的所述输出端；以及栅极端，所述栅极端连接至所述加法级的第二输出端。

5.如权利要求3所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述TN伽玛参考电压输出部分包括：

所述第三金属氧化物半导体晶体管，具有源极端，所述源极端连接至所述第一电源端；漏极端，所述漏极端连接至所述伽玛参考电压的所述输出端；以及栅极端，所述栅极端连接至所述加法级的所述第一输出端；以及

所述第四金属氧化物半导体晶体管，具有源极端，所述源极端连接至所述第二电源端，漏极端，所述漏极端连接至所述伽玛参考电压的所述输出端；以及栅极端，所述栅极端连接至所述加法级的所述第二输出端。

6.如权利要求3所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述第一开关在所述第一电源端和所述第三金属氧化物半导体晶体管的所述闸极端之间连接，所述第二开关在所述第四金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端和所述第二电源端之间连接，所述第三开关在所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端和所述加法级的所述第一输出端之间连接，以及所述第四开关在所述第二金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端和所述加法级的所述第二输出端之间连接。

7.如权利要求3所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述第五开关在所述第一电源端和所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端之间连接，所述第六开关在所述第二金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端和所述第二电源端之间连接，所述第七开关在所述加法级的所述第一输出端和所述第三金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端之间连接，以及所述第八开关在所述加法级的所述第二输出端和所述第四金属氧化物半导体晶体管的所述栅极端之间连接。

8.如权利要求3所述的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，所述第一至第八开关至包含金属氧化物半导体晶体管。

9.一种源极驱动器的伽玛参考电压输出电路，其特征在于，该电路包括：

伽玛缓冲器，配置以根据一模式选择信号转换伽玛参考电压并通过一第一输出端和一第二输出端中择其一输出所述伽玛参考电压；

第一伽玛电压产生单元，连接至所述第一输出端，并配置以分割所述伽玛参考电压并输出将用在一第一模式中的伽玛电压；以及

第二伽玛电压产生单元，连接至所述第二输出端，并配置以分割所述伽玛参考电压并输出将用在一第二模式中的伽玛电压。