[发明专利]一种高功率半导体激光器的设计方法有效
| 申请号： | 201110007855.3 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102097744A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 刘兴胜 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 设计 方法 | ||
1.一种高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于，包括三个处理环节：对芯片进行接触式散热处理、对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理。
2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于，所述三个处理环节是按照以下步骤执行：
(1)在靠近芯片有源区的一面对芯片进行降低热应力处理；
(2)对芯片进行绝缘处理；
(3)采用散热基座对芯片进行接触式散热处理。
3.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于，所述三个处理环节是按照以下步骤执行：
(1)在靠近芯片有源区的一面对芯片进行降低热应力处理；
(2)采用散热基座对芯片进行接触式散热处理；
(3)对芯片进行绝缘处理。
4.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于，所述三个处理环节是按照以下步骤执行：
(1)在靠近芯片有源区的一面同时对芯片进行降低热应力处理和绝缘处理；
(2)采用散热基座对芯片进行接触式散热处理。
5.根据权利要求2至4任一所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于，步骤(1)所述对芯片进行降低热应力处理，分为以下两个步骤：
(1.1)对芯片进行热模拟和热应力模拟分析，计算得出散热基座的外形尺寸；
(1.2)设靠近芯片有源区的一面为芯片正极面，选择热膨胀系数与芯片相差小于20％的材料作为与芯片正极面接触的应力缓释层的材料。
6.根据权利要求5所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于：所述应力缓释层仅在芯片发光区部位与芯片正极面接触，应力缓释层的材料热导率大于120W/m*K；所述绝缘处理是由热导率大于120W/m*K的绝缘层实现。
7.根据权利要求6所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于：所述芯片为单管(single emitter)、微型巴条(Mini-Bar)、巴条芯片或者所述芯片是由多个单元并联或者串联或者混联而成的芯片组，这些单元为单管、微型巴条或巴条芯片。
8.根据权利要求7所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于：所述应力缓释层通过硬焊料与芯片正极面焊接。
9.根据权利要求8所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于：所述应力缓释层的材料为铜钨合金、陶瓷或者金刚石铜复合材料；所述绝缘层的材料为陶瓷或金刚石；所述散热基座由铜、铜钨、金刚石或金刚石铜复合材料制成。
10.根据权利要求9所述的高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于：所述应力缓释层的厚度小于1.2mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘兴胜，未经刘兴胜许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110007855.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双馈无刷电机转子及其制造方法
- 下一篇：一种高重复频率超短脉冲激光方法
