[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；

超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；

补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述超陡后退岛的掺杂类型与包含所述超陡后退岛的器件的导电类型相反。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述补偿注入区与所述超陡后退岛中心重合。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述超陡后退岛的深度与所述补偿注入区的深度相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述超陡后退岛中掺杂浓度为1x10¹⁶/cm³、2x10¹⁶/cm³、5x10¹⁶/cm³、1x10¹⁷/cm³、2x10¹⁷/cm³、5x10¹⁷/cm³、1x10¹⁸/cm³、2x10¹⁸/cm³或5x10¹⁸/cm³处与承载所述栅堆叠的所述半导体衬底表面的最近距离为包含所述超陡后退岛的器件的栅长的三分之一至二分之一。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述超陡后退岛和所述补偿注入区中的掺杂元素分别为硼、铟、磷、砷、锑中的一种或其组合。

7.一种半导体结构的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成假栅、侧墙和绝缘层，所述侧墙环绕所述假栅，所述绝缘层接于所述侧墙且暴露所述假栅；

去除所述假栅，以形成开口；

经由所述开口注入第一掺杂剂，以在所述半导体衬底中形成超陡后退岛；

在所述开口中形成辅助掩模层，所述辅助掩模层至少覆盖所述开口的侧壁；

经由其中形成有所述辅助掩模层的所述开口注入第二掺杂剂，所述第二掺杂剂与所述第一掺杂剂掺杂类型相反，其中，所述辅助掩模层覆盖所述开口的侧壁而暴露所述开口的底壁时，所述第二掺杂剂在所述半导体衬底中形成第一补偿注入区；所述辅助掩模层覆盖所述开口的侧壁和底壁时，所述第二掺杂剂被所述辅助掩模层阻挡或在所述超陡后退岛中形成第二补偿注入区，所述第二补偿注入区的掺杂浓度小于所述第一补偿注入区的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述第一掺杂剂的掺杂类型与包含所述超陡后退岛的器件的导电类型相反。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述辅助掩模层覆盖所述开口的侧壁的步骤包括：

形成辅助掩模层，所述辅助掩模层覆盖所述开口的侧壁和底壁；

去除覆盖所述开口的底壁的所述辅助掩模层，所述辅助掩模层材料异于所述绝缘层材料。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在注入第二掺杂剂后，还包括：

去除所述辅助掩模层，以恢复所述开口；

在所述开口内形成替代栅。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述第二掺杂剂的注入深度与所述第一掺杂剂的注入深度相同。