[发明专利]高压隔离槽及其制作方法及MOS器件

权利要求书

1.一种高压隔离槽，其特征在于，包括延伸至晶圆的掩埋氧化层中的槽，所述槽的边墙注有高浓度的N+，所述槽内填充有多晶，所述多晶与槽的边墙之间填充有氧化物。

2.一种权利要求1所述的高压隔离槽的制作方法，其特征在于，包括步骤：

首先，在晶圆上生长一层掩膜层，定义出需刻蚀的槽，并进行过刻蚀，刻蚀至晶圆的掩埋氧化层中；

然后，对刻蚀好的槽进行填充，具体包括：先在空槽的边墙注入高浓度的N+，再向空槽里面填充多晶，并且在多晶和空槽的边墙之间填充氧化物。

3.根据权利要求2所述的高压隔离槽的制作方法，其特征在于，刻蚀槽的过程分多步进行：

第一步刻蚀完后，就向刻蚀好的槽里填充聚合物，然后进行下一步刻蚀的时候，底部的聚合物被刻掉，而边墙上的聚合物被保留着；不断的重复这一过程直到得到需要的深度为止。

4.一种MOS器件，其特征在于，该MOS器件的隔离槽采用权利要求1、2或3所述的高压隔离槽。

5.根据权利要求4所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件包括耐压1000V的功率VDMOS器件。