[发明专利]MOCVD反应系统

权利要求书

1.一种MOCVD反应系统，用于在衬底上淀积薄膜，其特征在于，包括：

反应腔；

喷淋盘，设置于所述反应腔的顶部，包括一反应气体混合腔，所述喷淋盘的顶部设置有进气口，工艺气体及金属有机物源通过所述进气口进入所述反应气体混合腔，并进行混合；所述喷淋盘的底部设有多个通孔，混合后的工艺气体及金属有机物源通过所述通孔喷出；

加热基座，位于所述反应腔的底部，置于一旋转轴上，所述半导体衬底置于所述加热基座上；

加热器，对所述加热基座进行加热；

出气口，设置在所述反应腔的底部，用于排出反应副产物；以及

温控装置，将所述喷淋盘的温度控制在40～400℃。

2.如权利要求1所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述温控装置将所述喷淋盘的温度控制在150～200℃。

3.如权利要求1或2所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述温控装置为热交换器。

4.如权利要求3所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述热交换器包括：

液体温控腔，设置在所述喷淋盘的顶部，且所述液体温控腔的底部与所述喷淋盘的顶部共用，所述液体温控腔的一侧设有液体进口，另一侧设有液体出口；

热膨胀箱，提供循环液体；

电加热器，对所述循环液体进行加热；

离心泵，使所述加热后的循环液体从所述液体进口进入所述液体温控腔，通过所述液体温控腔的底部与所述喷淋盘进行热交换，并从所述液体出口流出，进入所述热膨胀箱。

5.如权利要求4所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述加热后的循环液体的温度为40～400℃。

6.如权利要求5所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述加热后的循环液体的温度为150～200℃。

7.如权利要求4所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述循环液体为矿物油、合成油、硅油、乙二醇水溶液、工艺冷却水中的一种或多种。

8.如权利要求4所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述液体温控腔内的循环液体的压力为1～100psig。

9.如权利要求4所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述液体温控腔内的循环液体的流量为10～1500gpm。

10.如权利要求4所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述热交换器还包括过滤器，所述过滤器在加热之前对所述热膨胀箱内的控温液体进行过滤。

11.如权利要求4所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述热交换器还包括控制面板，所述控制面板对所述电加热器的加热温度进行设置。